m+Medelevator.RU
← Поиск публикаций
Physical review letters · 2021

High-Pressure Synthesis of Dirac Materials: Layered van der Waals Bonded BeN_{4} Polymorph.

СтатьяНазвание и аннотация: Перевод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

Bykov Maxim, Fedotenko Timofey, Chariton Stella, Laniel Dominique, Glazyrin Konstantin, Hanfland Michael, Smith Jesse S, Prakapenka Vitali B, Mahmood Mohammad F, Goncharov Alexander F, Ponomareva Alena V, Tasnádi Ferenc, Abrikosov Alexei I, Bin Masood Talha, Hotz Ingrid, Rudenko Alexander N, Katsnelson Mikhail I, Dubrovinskaia Natalia, Dubrovinsky Leonid, Abrikosov Igor A

Аннотация

High-pressure chemistry is known to inspire the creation of unexpected new classes of compounds with exceptional properties. Here, we employ the laser-heated diamond anvil cell technique for synthesis of a Dirac material BeN_{4}. A triclinic phase of beryllium tetranitride tr-BeN_{4} was synthesized from elements at ∼85  GPa. Upon decompression to ambient conditions, it transforms into a compound with atomic-thick BeN_{4} layers interconnected via weak van der Waals bonds and consisting of polyacetylene-like nitrogen chains with conjugated π systems and Be atoms in square-planar coordination. Theoretical calculations for a single BeN_{4} layer show that its electronic lattice is described by a slightly distorted honeycomb structure reminiscent of the graphene lattice and the presence of Dirac points in the electronic band structure at the Fermi level. The BeN_{4} layer, i.e., beryllonitrene, represents a qualitatively new class of 2D materials that can be built of a metal atom and polymeric nitrogen chains and host anisotropic Dirac fermions.

ИП Урсолов Владлен Сергеевич

ИНН 500118482352 · ОГРНИП 314500117700049

Реквизиты и контакты