DOI 10.1016/j.xpro.2024.103489
Protocol for depositing transparent conductive Ta-doped SnO2 film by hollow cathode gas flow sputtering technology.
Аннотация
Transparent conductive Ta-doped SnO2 (SnO2: Ta) thin film with low surface roughness, low resistivity, and high carrier concentration is one potential alternative of commercial transparent conductive oxides (TCOs). Here, we present a protocol for fabricating tin oxide films by hollow cathode gas flow sputtering technology. We describe steps for preparing and cleaning substrate, and film deposition process on the fresh uncorroded float glass substrate. We then detail procedures for measuring the optical and electrical properties of the film. For complete details on the use and execution of this protocol, please refer to Huo et al.1.
Предметные рубрики MeSH
Подготовка и перевод публикации
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Тип публикации указан по данным источника. Уровень доказательности автоматически не присваивается.