ACS nano · 2010
Reactive ballistic deposition of alpha-Fe2O3 thin films for photoelectrochemical water oxidation.
СтатьяПоддержка исследования: вне правительства СШАПоддержка правительства СШАНазвание и аннотация: Перевод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Hahn Nathan T, Ye Heechang, Flaherty David W, Bard Allen J, Mullins C Buddie
Аннотация
We report the preparation of alpha-Fe2O3 electrodes using a technique known as reactive ballistic deposition in which iron metal is evaporatively deposited in an oxygen ambient for photoelectrochemical (PEC) water oxidation. By manipulating synthesis parameters such as deposition angle, film thickness, and annealing temperature, we find that it is possible to optimize the structural and morphological properties of such films in order to improve their PEC efficiency. Incident photon to current conversion efficiencies (IPCE) are used to calculate an AM1.5 photocurrent of 0.55 mA/cm(2) for optimized films with an IPCE reaching 10% at 420 nm in 1 M KOH at +0.5 V versus Ag/AgCl. We also note that the commonly observed low photoactivity of extremely thin hematite films on fluorine-doped tin oxide substrates may be improved by modification of annealing conditions in some cases.