Nano letters · 2007
Fully transparent thin-film transistor devices based on SnO2 nanowires.
СтатьяПоддержка правительства СШАНазвание и аннотация: Перевод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Dattoli Eric N, Wan Qing, Guo Wei, Chen Yanbin, Pan Xiaoqing, Lu Wei
Аннотация
We report on studies of field-effect transistor (FET) and transparent thin-film transistor (TFT) devices based on lightly Ta-doped SnO2 nano-wires. The nanowire-based devices exhibit uniform characteristics with average field-effect mobilities exceeding 100 cm2/V x s. Prototype nano-wire-based TFT (NW-TFT) devices on glass substrates showed excellent optical transparency and transistor performance in terms of transconductance, bias voltage range, and on/off ratio. High on-currents and field-effect mobilities were obtained from the NW-TFT devices even at low nanowire coverage. The SnO2 nanowire-based TFT approach offers a number of desirable properties such as low growth cost, high electron mobility, and optical transparency and low operation voltage, and may lead to large-scale applications of transparent electronics on diverse substrates.