Journal of the American Chemical Society · 2013
Sensitization of p-GaP with CdSe quantum dots: light-stimulated hole injection.
СтатьяПоддержка правительства СШАНазвание и аннотация: Перевод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Wang Zhijie, Shakya Anisha, Gu Junsi, Lian Shichen, Maldonado Stephen
Аннотация
The sensitization of p-GaP by adsorbed CdSe quantum dots has been observed. Nondegenerately doped, planar p-GaP(100) photoelectrodes consistently showed sub-band-gap (>550 nm) photoresponsivity in an aqueous electrolyte containing Eu(3+/2+) when CdSe quantum dots (diameters ranging from 3.1 to 4.5 nm) were purposely adsorbed on the surface. Both time-resolved photoluminescence decays and steady-state photoelectrochemical responses supported sensitized hole injection from the CdSe quantum dots into p-GaP. The observation of hole injection in this system stands in contrast to sensitized electron injection seen in other metal oxide/quantum dot material combinations and therefore widens the possible designs for photoelectrochemical energy conversion systems that utilize quantum dots as light-harvesting components.