Optics express · 2012
ZnCdSe/ZnCdMgSe quantum well infrared photodetector.
СтатьяПоддержка исследования: вне правительства СШАНазвание и аннотация: Перевод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Ravikumar Arvind P, Alfaro-Martinez Adrian, Chen Guopeng, Zhao Kuaile, Tamargo Maria C, Gmachl Claire F, Shen Aidong
Аннотация
We report the design, fabrication and characterization of a II-VI Zn(0.51)Cd(0.49)Se / Zn<sub>0.45(Cd)0.42(Mg)(0.13)Se-based quantum well infrared photodetector (QWIP) with a bound to quasi-bound transition centered at 8.7 µm. The good growth quality of the epitaxial layers was verified by x-ray diffraction measurements. Absorption and photocurrent measurements yield results consistent with conventional III-V QWIPs. Photocurrent measurements reveal an exponential decrease with temperature. In addition, we also observe more than 4 orders of magnitude increase in photocurrent with applied bias. By compensating the drop in temperature performance with an increase in applied bias, we achieve an operating temperature of up to 140K and a responsivity of 1-10 µA/W.