MedElevator Войти в исследования
← Поиск публикаций

DOI 10.1103/physrevlett.86.5301

Медицинская библиотека · Physical review letters · 2001

Two disordered phases of the beta-tin structure in binary semiconductors.

Ackland G J

СтатьяПеревод в очереди

Аннотация

The Ising model on a beta-tin structure has a phase diagram containing three distinct phases involving order, disorder, and a frustrated ordering. The x-ray crystallographic observation that no ordered beta-tin phases exist at room temperature in compound semiconductors may indicate either "paramagnetic" (dynamic) or frustrated (static) disorder. Density functional pseudopotential calculations determine which regimes real materials fall into and predict that in materials such as GaSb, there may be two temperature-driven transitions between beta-tin structures: from ordered, to frustrated order, to disordered.

Для цитирования: Ackland G J. Two disordered phases of the beta-tin structure in binary semiconductors.. Physical review letters. 2001. DOI: 10.1103/physrevlett.86.5301.
Подготовка и перевод публикации
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

Тип публикации указан по данным источника. Уровень доказательности автоматически не присваивается.