Journal of nanoscience and nanotechnology · 2015
Chemical Vapor Deposition of Phosphorous- and Boron-Doped Graphene Using Phenyl-Containing Molecules.
СтатьяПоддержка NIH: внешняя программаПоддержка правительства СШАПоддержка службы здравоохранения СШАНазвание и аннотация: Перевод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Mekan Ovezmyradov, Magedov Igor V, Frolova Liliya V, Chandler Gary, Garcia Jill, Bethke Donald, Shaner Eric A, Kalugin Nikolai G
Аннотация
Simultaneous chemical vapor deposition (CVD) of graphene and "in-situ" phosphorous or boron doping of graphene was accomplished using Triphenylphosphine (TPP) and 4-Methoxyphenylboronic acid (4-MPBA). The TPP and 4-MPBA molecules were sublimated and supplied along with CH4 molecules during graphene growth at atmospheric pressure. The grown graphene samples were characterized using Raman spectroscopy. Phosphorous and boron presence in phosphorous and boron doped graphene was confirmed with Auger electron spectroscopy. The possibility of obtaining phosphorous and boron doped graphene using solid-source molecule precursors via CVD can lead to an easy and rapid production of modified large area graphene.