Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.) · 2016
High-Output-Power Ultraviolet Light Source from Quasi-2D GaN Quantum Structure.
СтатьяНазвание и аннотация: Перевод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Rong Xin, Wang Xinqiang, Ivanov Sergey V, Jiang Xinhe, Chen Guang, Wang Ping, Wang Weiying, He Chenguang, Wang Tao, Schulz Tobias, Albrecht Martin, Jmerik Valentin N, Toropov Alexey A, Ratnikov Viacheslav V, Kozlovsky Vladimir I, Martovitsky Victor P, Jin Peng, Xu Fujun, Yang Xuelin, Qin Zhixin, Ge Weikun, Shi Junjie, Shen Bo
Аннотация
Quasi-2D GaN layers inserted in an AlGaN matrix are proposed as a novel active region to develop a high-output-power UV light source. Such a structure is successfully achieved by precise control in molecular beam epitaxy and shows an amazing output power of ≈160 mW at 285 nm with a pulsed electron-beam excitation. This device is promising and competitive in non-line-of-sight communications or the sterilization field.