m+Medelevator.RU
← Поиск публикаций
Acta crystallographica Section B, Structural science, crystal engineering and materials · 2026

Random in-plane translational stacking faults in the van der Waals superlattice Ba6Nb11Se28.

СтатьяНазвание и аннотация: Перевод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

Ma Ke, Yu Yingpeng, Li Qi, Ying Tianping, Zhang Qinghua, Jin Shifeng, Chen Xiaolong

Аннотация

The Ba6M11X28 (M = Nb, Ta; X = S, Se) family of natural van der Waals superlattices hosts highly anisotropic superconductivity and exotic two-dimensional electronic behavior. However, the actual stacking sequences of these superconducting superlattices, crucial for property engineering, remains poorly understood. Here we present a detailed microstructural study of Ba6Nb11Se28 using aberration-corrected scanning transmission electron microscopy (STEM), powder X-ray diffraction (PXRD) and DIFFaX simulations. We identify intrinsic in-plane translational stacking faults confined to the Ba3NbSe5 spacer layers and directly resolve three symmetry-equivalent stacking configurations at the atomic scale. These stacking variants preserve the local coordination environment and occur randomly without correlation between adjacent spacer layers. The stacking disorder leads to characteristic extinction of (10l) reflections in diffraction, which is quantitatively reproduced by simulations based on a random stacking model. Our results establish in-plane translational stacking disorder as an intrinsic structural feature of Ba6Nb11Se28 and highlight the importance of spacer-layer degrees of freedom in layered van der Waals superlattices.

ИП Урсолов Владлен Сергеевич

ИНН 500118482352 · ОГРНИП 314500117700049

Реквизиты и контакты