Science (New York, N.Y.) · 2026
Wafer-scale ultrathin and uniform van der Waals ferroelectric oxide.
СтатьяНазвание и аннотация: Перевод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Wu Qinci, Li Zhongrui, Han Bingchen, Sun Weiyu, Liu Qinyun, Xue Chengyuan, Bae Hyeonhu, Wang Mengdi, Fu Boyang, Qian Jun, Zhu Yongchao, Sun Yu, Feng Tingkai, Gao Xin, Cong Xuzhong, Liu Wanqing, Gao Yunan, Yan Binghai, Tan Congwei, Liu Hongtao, Peng Hailin
Аннотация
Ferroelectrics have great potential for nonvolatile memory and next-generation electronics, but conventional ferroelectric oxide films generally suffer structural nonuniformity, interfacial depolarization, and performance degradation, particularly when downscaled to advanced technology nodes. We demonstrate uniform, wafer-scale synthesis and back-end-of-line-compatible integration of ultrathin van der Waals (vdW) high-dielectric constant ferroelectric oxide Bi2SeO5, retaining an optimal coercive field and robust ferroelectricity at monolayer thickness. Ultrathin vdW ferroelectric oxides formed atomically uniform interfaces with two-dimensional semiconductors and yielded ferroelectric field-effect transistor (FeFET) arrays with a low operating voltage (0.8 volts), exceptional cycling endurance (>1.5 × 1012 cycles), fast write speed (20 nanoseconds), high on/off ratio (106), 10-year retention, ultralow energy consumption (2.8 femtojoules per bit per square micrometer), and <5% device-to-device variation. Reconfigurable logic-in-memory circuits with these FeFETs function at supply voltages of <1 volt.