Nano letters · 2025
Spatially Tunable Interfacial Ferroelectricity in Low-Symmetric WTe2.
СтатьяНазвание и аннотация: Перевод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Chiang Yi-Cheng, Chen Chun-An, Lin Che-Min, Lin Erh-Chen, Zhu Hong-Sen, Liu Po-Yen, Lin Yu-Ting, Fan Sheng-Hung, Tien Hung-Ju, Chen Chi, Lai Ying-Yu, Deng Hui, Chang Chia-Seng, Lin Hsin, Chang Tay-Rong, Lee Shang-Fan, Lee Yi-Hsien
Аннотация
Interfacial ferroelectricity, recently discovered in van der Waals (vdW) materials, exhibits switchable dipoles at the interface. Most experiments are realized by stacking high-symmetry two-dimensional (2D) lattices in specific stacking configurations. A prototype based on a synthetic and low-symmetry 2D lattice is robust for switchable dipoles with broken symmetry at the interface. Here, we show that interfacial ferroelectricity can be spatially tunable by controlling the odd-even layer number in the synthetic low-symmetry lattice of 1T'-WTe2. A high ferroelectric transition temperature (TC) of >550 K is confirmed. The density functional theory (DFT) calculations indicate that interlayer sliding along the b-axis enables polarization switching of the interfacial dipoles. This study moves a significant step toward spatially tunable interfacial ferroelectricity.