Science (New York, N.Y.) · 2025
Homochiral carbon nanotube van der Waals crystals.
СтатьяНазвание и аннотация: Перевод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Zhang Zhichun, Chen Yi, Shen Peiyue, Chen Jiajun, Wang Sen, Wang Bo, Ma Saiqun, Lyu Bosai, Zhou Xianliang, Lou Shuo, Wu Zhenghan, Xie Yufeng, Zhang Chengjia, Wang Liguo, Xu Kunqi, Li Haonan, Wang Guohua, Watanabe Kenji, Taniguchi Takashi, Qian Dong, Jia Jinfeng, Liang Qi, Wang Xiaoqun, Yang Wei, Zhang Guangyu, Jin Chuanhong, Ouyang Wengen, Shi Zhiwen
Аннотация
For applications of single-walled carbon nanotubes (SWNTs) in integrated circuits, it is crucial to have high-tube density arrays of SWNTs that are well aligned and purely semiconducting. In this work, we report on the direct growth of close-packed SWNT arrays on hexagonal boron nitride (hBN) substrates, demonstrating high alignment and uniform chirality within each array. Molecular dynamics simulations suggest that a self-assembly growth mechanism resulted from the intertube van der Waals attraction and the ultralow sliding friction of SWNTs on the atomically flat hBN substrate. Field-effect transistors constructed from the grown SWNT array exhibit high performance at room temperature, with mobilities of up to 2000 square centimeters per volt per second, on/off ratios of ~107, and a maximum current density of ~6 milliamperes per micrometer.