MedElevator Войти в исследования
← Поиск публикаций

DOI 10.3390/nano15020148

Медицинская библиотека · Nanomaterials (Basel, Switzerland) · 2025

Anisotropic Elasticity, Spin-Orbit Coupling, and Topological Properties of ZrTe2 and NiTe2: A Comparative Study for Spintronic and Nanoscale Applications.

Fazeli Yasaman, Nourbakhsh Zahra, Yalameha Shahram, Vashaee Daryoosh

СтатьяПеревод пока не подготовлен

Аннотация

The present work investigates the interfacial and atomic layer-dependent mechanical properties, SOC-entailing phonon band structure, and comprehensive electron-topological-elastic integration of ZrTe2 and NiTe2. The anisotropy of Young's modulus, Poisson's ratio, and shear modulus are analyzed using density functional theory with the TB-mBJ approximation. NiTe2 has higher mechanical property values and greater anisotropy than ZrTe2. Phonon dispersion analysis with SOC effects predicts the dynamic stability of both compounds. Thus, the current research unifies electronic band structure analysis, topological characterization, and elastic property calculation to reveal how these transition metal dichalcogenides are influenced by their structural, electronic, and mechanical properties. The results obtained in this work can be used in the further development of spintronic and nanoelectronic devices.

Для цитирования: Fazeli Yasaman, Nourbakhsh Zahra, Yalameha Shahram, Vashaee Daryoosh. Anisotropic Elasticity, Spin-Orbit Coupling, and Topological Properties of ZrTe2 and NiTe2: A Comparative Study for Spintronic and Nanoscale Applications.. Nanomaterials (Basel, Switzerland). 2025. DOI: 10.3390/nano15020148.
Подготовка и перевод публикации
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

Тип публикации указан по данным источника. Уровень доказательности автоматически не присваивается.