MedElevator Войти в исследования
← Поиск публикаций

DOI 10.1021/acs.nanolett.4c01479

Медицинская библиотека · Nano letters · 2024

Half-Metallic Transport and Spin-Polarized Tunneling through the van der Waals Ferromagnet Fe4GeTe2.

Halder Anita, Nell Declan, Sihi Antik, Bajaj Akash, Sanvito Stefano, Droghetti Andrea

СтатьяПеревод пока не подготовлен

Аннотация

We examine the coherent spin-dependent transport properties of the van der Waals (vdW) ferromagnet Fe4GeTe2 using density functional theory combined with the nonequilibrium Green's function method. Our findings reveal that the conductance perpendicular to the layers is half-metallic, meaning that it is almost entirely spin-polarized. This property persists from the bulk to a single layer, even under significant bias voltages and with spin-orbit coupling. Additionally, using dynamical mean field theory for quantum transport, we demonstrate that electron correlations are important for magnetic properties but minimally impact the conductance, preserving almost perfect spin-polarization. Motivated by these results, we then study the tunnel magnetoresistance (TMR) in a magnetic tunnel junction consisting of two Fe4GeTe2 layers with the vdW gap acting as an insulating barrier. We predict a TMR ratio of ∼500%, which can be further enhanced by increasing the number of Fe4GeTe2 layers in the junction.

Для цитирования: Halder Anita, Nell Declan, Sihi Antik, Bajaj Akash, Sanvito Stefano, Droghetti Andrea. Half-Metallic Transport and Spin-Polarized Tunneling through the van der Waals Ferromagnet Fe4GeTe2.. Nano letters. 2024. DOI: 10.1021/acs.nanolett.4c01479.
Подготовка и перевод публикации
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

Тип публикации указан по данным источника. Уровень доказательности автоматически не присваивается.