Ohm's law provides a fundamental framework for understanding charge transport in conductors and underpins the concept of electrical scaling that has enabled the continuous advancement of modern CMOS technologies. As transistors are scaled to smaller dimensions, channels inevitably enter low-dimensional regimes to achieve a higher performance. Low-dimensional materials such as atomically thin oxide semiconductors, 2D van der Waals semiconductors, and 1D carbon nanotubes have thus emerged as key candidates for extending Moore's law. Here, we reveal the fundamental distinction between three-dimen
СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Ge1-xSnx and Si1-x-yGeySnx alloys are promising materials for future nanoelectronic applications owing to their high carrier mobilities and CMOS compatibility. However, ternary Si1-x-yGeySnx transistors have only theoretically been discussed, and there are only a few reports on lateral n-type Ge1-xSnx transistors to benchmark their material performance. The low equilibrium solid solubility of Sn in Si1-xGex (less than 1 at%) requires device fabrication processes at temperatures below the growth temperature of Si1-x-yGeySnx (x > equilibrium solubility) or at non-equilibrium conditions. Therefor
СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
This study explores a quick, low-cost method to detect Alzheimer's disease (AD) by evaluating the accomplishment of a Gate-Stack (GS) Field Effect Transistor (FET). We investigate Single-Metal (SM), Dual-Metal (DM), and Tri-Metal Double Gate (DG) configurations, where cavities have been created by etching the oxide layer underneath the gate to immobilize grey matter samples collected through Solid-phase microextraction (SPME). Healthy and AD-affected grey matter have different dielectric characteristics at high frequencies. The dielectric constant of the etched nanocavities changes when the sa
СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Organic electrochemical transistors (OECTs) have emerged as a next-generation biosensing technology because of their water-stability, cost-effectiveness, and ability to obtain high sensitivity at low operation voltage (mV). However, a miniaturized readout unit that can wirelessly characterize the overall performance of an OECT is still missing, which hinders the assembling of truly wearable OECT systems for continuous health-monitoring applications. In this work, we present a coin-sized analytical unit for remote and wireless OECT characterization, namely, a personalized electronic reader for
СтатьяПоддержка исследования: вне правительства СШАПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Gallium nitride (GaN) high-electron-mobility transistor (HEMT) biosensors have recently emerged as promising platforms for highly sensitive and label-free detection of biomolecules. Their exceptional electrical properties, including high carrier mobility, together with the wide bandgap and strong chemical bonds of GaN materials, provide excellent stability under high temperatures, ionizing radiation, and chemically harsh environments. Despite significant experimental progress, comprehensive analytical models capable of linking biomolecular recognition events to the electrical response of GaN b
СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Organophosphates (OP), commonly used in agriculture and as chemical warfare agents, pose significant environmental risks, necessitating real-time, low-cost OP detection methods. In particular, liquid-phase OP sensing with minimal sample volumes is crucial. While several methods allow rapid detection of low concentrations of OP vapors, they are effective only in the short term, while vapors are still being produced. Many OP compounds are semi-volatile, leading to the contamination of water, soil, and surfaces, posing a risk of secondary, long-term exposure. Detecting this contamination requires
СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Two-dimensional semiconductors (2DSCs) have attracted considerable attention as atomically thin channel materials for field-effect transistors. Each layer in 2DSCs consists of a single- or few-atom-thick, covalently bonded lattice, in which all carriers are confined in their atomically thin channel with superior gate controllability and greatly suppressed OFF-state current, in contrast to typical bulk semiconductors plagued by short channel effects and heat generation from static power. Additionally, 2DSCs are free of surface dangling bonds that plague traditional semiconductors, and hence exh
СтатьяОбзорПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
In consumer electronics and industrial electronics today, transistors are common devices. With the rapid development of electronic skin and wearable electronics, there has been an escalating demand to extend thin film transistors as sensors to perceive multiple physiological signals and varieties of external stimuli. However, conventional single-function sensors are limited to detecting only one physical parameter, which is inadequate to meet the growing requirement for multifunctional integration in increasingly complex application scenarios. Consequently, recent efforts have been put forward
СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Two-dimensional (2D) semiconductors have long been proposed as channel materials for post-complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) electronics. However, their practical impact remains constrained by asymmetric electron-hole transport and the absence of dynamic polarity control. This study presents a theoretical investigation combining first-principles electronic structure calculations with quantum tunneling transport simulations, proposing a 2D Janus SMoSiN2 monolayer material that exhibits nearly perfect electron-hole effective mass symmetry and a direct bandgap of 2.16 eV, making it su
СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
We report on studies of field-effect transistor (FET) and transparent thin-film transistor (TFT) devices based on lightly Ta-doped SnO2 nano-wires. The nanowire-based devices exhibit uniform characteristics with average field-effect mobilities exceeding 100 cm2/V x s. Prototype nano-wire-based TFT (NW-TFT) devices on glass substrates showed excellent optical transparency and transistor performance in terms of transconductance, bias voltage range, and on/off ratio. High on-currents and field-effect mobilities were obtained from the NW-TFT devices even at low nanowire coverage. The SnO2 nanowire
СтатьяПоддержка правительства СШАПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
A simple and rapid method to fabricate a solution-gated one-piece indium-tin-oxide (ITO)-based ion-sensitive field-effect transistor (ISFET) (ITO-ISFET) for biosensing is presented in this report. Although ITO is a conductive oxide, it exhibits semiconducting properties at a depletion layer thickness of approximately 20 nm or less, making it suitable as the channel of a pH-sensitive solution-gated ISFET. Specifically, by etching the middle part of a conductive ITO single thin film with an acidic solution to make it ultrathin, a one-piece ITO-ISFET with a semiconductive channel can be fabricate
СтатьяVideo-Audio MediaПоддержка исследования: вне правительства СШАПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Aerospace equipages encounter potential radiation footprints through which soft errors occur in the memories onboard. Hence, robustness against radiation with reliability in memory cells is a crucial factor in aerospace electronic systems. This work proposes a novel Carbon nanotube field-effect transistor (CNTFET) in designing a robust memory cell to overcome these soft errors. Further, a petite driver circuit to test the SRAM cells which serve the purpose of precharge and sense amplifier, and has a reduction in threefold of transistor count is recommended. Additionally, analysis of robustness
СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Two-dimensional (2D) semiconductors are commonly evaluated for ultrascaled transistors using band-edge descriptors such as carrier effective mass. Here, first-principles quantum-transport simulations reveal pronounced electron-hole transport asymmetry in monolayer PbS MOSFETs despite their similarly small electron and hole effective masses (<0.23 m0). At a gate length of 9 nm, the n-type PbS MOSFET achieves an ultrahigh on-state current exceeding 7300 μA/μm along the x direction, over 5500 μA/μm higher than that of the p-type device. Position-resolved local density of states and spectral-curre
СтатьяПолный текст не найденПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Sustainable memory devices that combine reliable multilevel data storage, stable synaptic-weight modulation, and environmentally responsive degradability are increasingly needed for next-generation Internet of Things, wearable, and data-centric electronics, where rapid device replacement cycles continue to intensify electronic-waste concerns. Charge-trapping memory transistors offer an attractive platform for this purpose owing to their multilevel memory operation through modulation of trapped charge density and excellent retention characteristics, both of which are essential for preserving pr
СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Field-effect transistor (FET) biosensors using graphene have become one of the most promising biosensing platforms for the early diagnosis of diseases with features such as high sensitivity, label-free detection and application compatibility with point-of-care systems. Herein, we critically discuss recent advances in graphene FET (GFET) biosensor development toward clinically relevant biomarkers associated with representative diseases including cancer, neurodegenerative disease, infectious disease, and inflammatory conditions. Recent progress was reviewed to evaluate GFET architectures, surfac
СтатьяОбзорПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Organic electrochemical synaptic transistors (OESTs) are attracting growing attention for neuromorphic computing, yet their long-term stability remains constrained by uncontrolled ion dynamics. Previous studies have incorporated glycol side chains to facilitate ionic transport, but a systematic understanding of how copolymerization with hydrophobic alkyl units governs ion doping and retention is still lacking. Here, we establish a rational backbone-side chain copolymer design strategy that precisely regulates ionic interactions, crystallinity, and charge transport. We also reveal clear correla
СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
We present a highly sensitive and selective gas sensor based on an advanced silicon-on-insulator tunnel field-effect transistor (SOI-TFET) architecture, enhanced through the integration of customized conducting polymers. In this design, traditional metal gates are replaced with distinct functional polymers-PPP-TOS/AcCN, PP-TOS/AcCN, PP-FE(CN)63-/H2O, PPP-TCNQ-TOS/AcCN, and PPP-ClO4/AcCN-which enable precise molecular recognition and discrimination of various target gases. To further enhance sensitivity, the device employs an oppositely doped source region, significantly improving gate control
СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Increasing demand for bio-interfaced human-machine interfaces propels the development of organic neuromorphic electronics with small form factors leveraging both ionic and electronic processes. Ion-based organic electrochemical transistors (OECTs) showing anti-ambipolarity (OFF-ON-OFF states) reduce the complexity and size of bio-realistic Hodgkin-Huxley(HH) spiking circuits and logic circuits. However, limited stable anti-ambipolar organic materials prevent the design of integrated, tunable, and multifunctional neuromorphic and logic-based systems. In this work, a general approach for tuning
СтатьяПоддержка правительства СШАПоддержка исследования: вне правительства СШАПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Intrinsically stretchable electronics is rapidly emerging as a transformative platform for next-generation electronics, offering novel form factors and enhanced capabilities. Herein, we report high-performance intrinsically stretchable thin-film transistors based on two-dimensional semiconducting flakes. Our n-type molybdenum disulfide transistors exhibit a maximum field-effect mobility up to 12.5 cm2V-1s-1 (average 8 cm2V-1s-1) and an on/off current ratio above 107, even under 20% strain, and demonstrate stable performance during cyclic stretching tests. Structural analysis revealed that mech
СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
A lithography-compatible approach for site-selective contact engineering is developed by using electron-beam lithography to pattern ultrathin Nafion interlayers at the metal contacts of p-type MoTe2 field-effect transistors. The patterned Nafion films are prepared by electron-beam irradiation followed by development, forming conformal nanometer-thick layers localized exclusively at the source and drain regions. Due to its high work function, Nafion facilitates localized charge transfer that p-dopes the MoTe2 interface, thereby narrowing the Schottky barrier width for hole injection. Two-termin
СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
MedElevator
Войти в исследования