m+Medelevator.RU
Открытая медицинская библиотека

Найдите доказательства.
Сосредоточьтесь на главном.

Медицинские публикации, первоисточники и полные тексты.
Для клинического вопроса, нового знания и следующего исследования.

Ищем по исходному запросу. Уточняем медицинские термины для поиска на других языках…

Библиотека сейчас

От первоисточника до медицинского перевода

Подключаем обновления…
Собрано из открытых источников—

Уникальные публикации PubMed, Europe PMC и Crossref, сохранённые в библиотеке. Одна статья учитывается один раз, даже если получена из нескольких источников. Личные исследования и документы команд не публикуются.

Идёт проверка счётчика
Доступно в поиске—

Публикации, уже подготовленные для быстрого поиска. Остальная библиотека подключается в фоне.

Переведено на русский—

Готовые переводы среди доступных в поиске публикаций. Автоматический медицинский перевод и проверка специалистом учитываются отдельно.

Полные тексты—

Найденные полные тексты среди доступных в поиске публикаций. Доступность определяется первоисточником и условиями использования.

Оригиналов на русском—

Русскоязычные оригиналы доступны без ожидания перевода. Ниже — языки остальных оригиналов; для них готовится медицинский перевод на русский.

Пополняем библиотеку по диагнозам—Проверяем состояние обновлений

Для каждого диагноза из справочника МКБ-10 ищем связанные публикации в научных базах и добавляем их в библиотеку. Числа ниже — диагнозы, а не статьи.

Если сбор прервался, тема требует повторной попытки. Уже сохранённые статьи остаются в библиотеке.

Найти литературу по своему диагнозу →

Нажмите на показатель для подробностей. Показатели поиска обновляются автоматически; размер всей библиотеки сверяется отдельно. Время последней проверки указано явно.

Результаты поиска

6094 публикаций

Поиск: 103 мс
Публикации на разных языках · PubMed, Europe PMC и данные издателей через Crossref · 81 с найденным полным текстом

Colossal angular magnetoresistance in ferrimagnetic nodal-line semiconductors.

Efficient magnetic control of electronic conduction is at the heart of spintronic functionality for memory and logic applications1,2. Magnets with topological band crossings serve as a good material platform for such control, because their topological band degeneracy can be readily tuned by spin configurations, dramatically modulating electronic conduction3-10. Here we propose that the topological nodal-line degeneracy of spin-polarized bands in magnetic semiconductors induces an extremely large angular response of magnetotransport. Taking a layered ferrimagnet, Mn3Si2Te6, and its derived comp

СтатьяПоддержка исследования: вне правительства СШАПоиск полного текста в очередиПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 34819684Открыть статью

Ultra-High-Temperature Ferromagnetism in Intrinsic Tetrahedral Semiconductors.

Ferromagnetic semiconductors exhibit novel spin-dependent optical, electrical, and transport properties, which are promising for next-generation highly functional spintronic devices. However, the possibility of practical applications is hindered by their low Curie temperature. Currently, whether semiconducting ferromagnetism can exist at room temperature is still unclear because of the absence of a solid physical mechanism. Here, on the basis of tight-binding model analysis and first-principles calculations, we report that ferromagnetism in a tetrahedral semiconductor originating from superexc

СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 31309834Открыть статью

Designing Isoelectronic Counterparts to Layered Group V Semiconductors.

In analogy to III-V compounds, which have significantly broadened the scope of group IV semiconductors, we propose a class of IV-VI compounds as isoelectronic counterparts to layered group V semiconductors. Using ab initio density functional theory, we study yet unrealized structural phases of silicon monosulfide (SiS). We find the black-phosphorus-like α-SiS to be almost equally stable as the blue-phosphorus-like β-SiS. Both α-SiS and β-SiS monolayers display a significant, indirect band gap that depends sensitively on the in-layer strain. Unlike 2D semiconductors of group V elements with the

СтатьяПоддержка правительства СШАПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 26190265Открыть статью

A New Approach for Sensitive Characterization of Semiconductor Laser Beams Using Metal-Semiconductor Thermocouples.

This paper presents the results of beam investigations on semiconductor IR lasers using novel detectors based on thermocouples. The work covers the design, the fabrication of detectors, and the experimental validation of their sensitivity to IR radiation. The principle of operation of the manufactured detectors is based on the Seebeck effect (the temperature difference between hot and cold junctions induced voltage appearance). The devices were composed of several thermocouples arranged in a linear array. The nano- and microscale thermocouples (the hot junctions) were fabricated using a typica

СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 36502027Открыть статью

Semiconductor Meta-Graphene and Valleytronics.

Nanopatterned semiconductor interfaces offer a versatile platform for creating quantum metamaterials and exploring novel electronic phenomena. In this study, we illustrate this concept using artificial graphene─a metamaterial featuring distinctive properties including Dirac and saddle points. We demonstrate that introducing additional nanopatterning can open a Dirac band gap, giving rise to what we term artificial hexagonal boron nitride (AhBN). The calculated valley Chern number of AhBN indicates the presence of topological valley Hall states confined to Dirac-gap domain walls. A key question

СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 41537234Открыть статью

From clusters to semiconductor nanostructures.

In the last two decades there has been tremendous interest in various aspects of nanoscience and nanotechnology. Now the subject has matured into an important field in the general area of science and technology that has been identified as one of the thrust areas. Nanoscience and nanotechnology is really an interdisciplinary and/or multidisciplinary subject. This review describes work on transition metal molecular level clusters. The clusters were fabricated by making very dilute solutions and also by doping them in lattices of alkali halides and alkali cyanides. Size dependence of the bandgap

СтатьяОбзорПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 24749425Открыть статью

RNA-templated semiconductor nanocrystals.

The use of a biomolecular RNA template for the synthesis of CdS semiconductor nanocrystals is described. Transfer RNA, with a well-defined three-dimensional structure, is used as a scaffold and ligand system in the aqueous synthesis of CdS. We have found that nanocrystal structures can be modulated by the structure of the templating tRNA. When possessing a folded three-dimensional structure, tRNA-templated synthesis yields a single product. If the same tRNA is rendered unstructured through the introduction of destabilizing mutations, a range of products are observed. The results reported indic

СтатьяПоддержка исследования: вне правительства СШАПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 17002324Открыть статью

Spatially deterministic nucleation of 2D semiconductors by etching flux.

Nucleation control is fundamental to semiconductor deposition, governing when, where and how crystalline materials form. Conventional strategies can regulate nucleation density and, through area-selective growth, confine deposition to designated regions1-13. However, they generally do not determine where an individual nucleus forms within the growth regions, leaving even single-nucleation events spatially stochastic and limiting deterministic construction of crystalline materials. Here we report etching-flux-mediated single-centred nucleation of two-dimensional (2D) semiconductors to determini

СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 42844409Открыть статью

Measuring the molecular origins of stiffness in organic semiconductors.

Mechanical properties of organic molecular semiconductors are determined by a combination of chemical structure and solid-state packing. Measurements of nanoscale mechanical properties on molecular surfaces via atomic force microscopy (AFM) are particularly challenging as the very act of probing how stiff these surfaces are may perturb them, making it difficult to discern subtle differences in stiffness arising from changes in molecular composition. This work presents the first direct, experimental demonstration of the tunability in the nanomechanical properties for a family of molecular semic

СтатьяПолный текст не найденПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 41530152Открыть статью

Flanking-Group Engineering Unlocks Emerging Functionalities in Diketopyrrolopyrrole Semiconductors.

Diketopyrrolopyrrole (DPP) is a cornerstone building block in high-performance organic semiconductors, valued for its strong π-conjugation, chemical robustness, and tunable optoelectronic characteristics. Conventional DPP synthesis relies on aromatic nitrile precursors, establishing a design paradigm in which flanking aromatic units govern energy levels, molecular packing, and charge transport. Although systematic variation of these flanking groups has enabled substantial performance gains, this strategy inherently constrains structural diversity and limits functional adaptability, particularl

СтатьяОбзорПоиск полного текста в очередиПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 42489257Открыть статью

Intrinsic intermolecular photoinduced charge separation in organic radical semiconductors.

Organic radicals based on tris(2,4,6-trichlorophenyl)methyl (TTM) radicals show efficient photoluminescence from excitons in the spin-doublet manifold, but their potential in charge photogeneration remains unexplored. Here we report that when TTMs are in contact, photoexcitation generates TTM anion-TTM cation pairs. These can decay radiatively or be fully separated under an electric field bias. We use a triphenyl-substituted TTM (P3TTM) in which the phenyl end groups enhance intermolecular interactions. In dilute (5 wt%) films in a wide-energy-gap organic semiconductor host, we observe prompt

СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 41028851Открыть статью

Emerging ZnO Semiconductors for Photocatalytic CO2 Reduction to Methanol.

Carbon recycling is poised to emerge as a prominent trend for mitigating severe climate change and meeting the rising demand for energy. Converting carbon dioxide (CO2) into green energy and valuable feedstocks through photocatalytic CO2 reduction (PCCR) offers a promising solution to global warming and energy needs. Among all semiconductors, zinc oxide (ZnO) has garnered considerable interest due to its ecofriendly nature, biocompatibility, abundance, exceptional semiconducting and optical properties, cost-effectiveness, easy synthesis, and durability. This review thoroughly discusses recent

СтатьяОбзорПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 39367556Открыть статью

Photosensitization of SnO(2)/ZnO semiconductors with zinc-phthalocyanine.

Zinc-phthalocyanine with tyrosine substituent (ZnPcTyro) was attached to different nanocrystalline semiconductors (SnO(2) and ZnO) via carboxylic acid group, the interaction of zinc-phthalocyanine with colloidal ZnO and SnO(2) was studied by absorption and fluorescence spectroscopy. The apparent association constant for the association between ZnPcTyro and SnO(2)/ZnO is ranged from (3.7+/-0.2)x10(5)M(-1) to (6.7+/-0.2)x10(4)M(-1) with a degree of association ranged from 85% to 95%. The presence of the tyrosine group in ZnPcTyro affects solubility of the dye and affects the aggregation behavior

СтатьяПолный текст не найденПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 19129007Открыть статью

Imaging topological polar structures in marginally twisted 2D semiconductors.

Moiré superlattices formed in van der Waals heterostructures by twisting, lattice mismatch and strain present an opportunity for creating metamaterials with unique properties absent in the individual layers. Ferroelectricity for example, arises from broken inversion symmetry in twisted and strained bilayers of 2D semiconductors with stacking domains of alternating out-of-plane polarization. However, the individual contributions of twist and strain to the formation of topological polar nanostructures remain unclear and experimentally challenging to resolve. Inversion symmetry breaking is predic

СтатьяПолный текст не найденПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 42726874Открыть статью

Exciton Manipulation via Dielectric Environment Engineering in 2D Semiconductors.

Two-dimensional (2D) semiconductors are promising for photonic applications due to their exceptional optoelectronic properties, including large exciton binding energy, strong spin-orbit coupling, and potential integration with the standard complementary silicon-oxide-semiconductor (CMOS) technology. The dielectric environment can significantly affect the photoluminescence (PL) spectra of transition metal dichalcogenide (TMD) monolayers by modulating excitonic properties such as optical transitions and binding energies. Specifically, substrates with higher dielectric permittivity reduce exciton

СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 40606437Открыть статью

Advances in Polymeric Semiconductors for Next-Generation Electronic Devices.

Polymeric semiconductors have rapidly evolved from early conductive polymers, such as polyacetylene, to high-performance donor-acceptor copolymers, offering a unique combination of mechanical flexibility, solution processability, and tunable optoelectronic properties. These advancements have positioned polymeric semiconductors as versatile materials for next-generation electronics, including wearable, stretchable, and bio-integrated devices, IoT systems, and soft robotics. In this review, we systematically present the fundamental principles of polymeric semiconductors, including electronic str

СтатьяОбзорПоиск полного текста в очередиПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 41374861Открыть статью

Iterative sublattice amorphization facilitates exceptional processability in inorganic semiconductors.

Cold-forming processing is a crucial means for the cost-effective production of metal and alloy products. However, this process often results in catastrophic fracture when applied to most inorganic semiconductors owing to their inherent brittleness. Here we report the unique room-temperature plastic deformation mechanism involving sublattice amorphization coupled with Ag-ion diffusion in inorganic semiconductors Ag2Te1-xSx (0.3 ≤ x ≤ 0.6), and an ultrahigh extensibility of up to 10,150%. Once subject to external stress, the crystalline Te/S sublattice undergoes a uniform transformation into an

СтатьяПолный текст не найденПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 39920275Открыть статью

Structural Isomeric Effect on Spin Transport in Molecular Semiconductors.

Molecular semiconductor (MSC) is a promising candidate for spintronic applications benefiting from its long spin lifetime caused by light elemental-composition essence and thus weak spin-orbit coupling (SOC). According to current knowledge, the SOC effect, normally dominated by the elemental composition, is the main spin-relaxation causation in MSCs, and thus the molecular structure-induced SOC change is one of the most concerned issues. In theoretical study, molecular isomerism, a most prototype phenomenon, has long been considered to possess little difference on spin transport previously, si

СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 38597787Открыть статью

Searching for Unconventional Superfluid in Excitons of Monolayer Semiconductors.

It is well known that two-dimensional (2D) bosons in homogeneous space cannot undergo real Bose-Einstein condensation, and the superfluid to normal phase transition is Berezinskii-Kosterlitz-Thouless (BKT) type, associated with vortex-antivortex pair unbinding. Here we point out a 2D bosonic system whose low energy physics goes beyond conventional paradigm of 2D homogeneous bosons, i.e., intralayer excitons in monolayer transition metal dichalcogenides. With intrinsic valley-orbit coupling and valley Zeeman energy, exciton dispersion becomes linear at small momentum, giving rise to a series of

СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 38134763Открыть статью

Ductile Inorganic Ferromagnetic Semiconductor.

Ductile/Plastic inorganic semiconductors have garnered significant attention for their potential in flexible electronics, yet their current diversity remains limited, with functionalities largely confined to thermal and/or electrical properties. Here, the first intrinsically ductile/plastic inorganic ferromagnetic semiconductor, bulk CrSiTe3 van der Waals (vdW) crystals, which combine excellent deformability with ferromagnetism, is reported. Mechanical characterization reveals excellent plasticity at room temperature, with CrSiTe3 crystals sustaining up to 12% tensile strain, surpassing many e

СтатьяПолный текст не найденПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 41055272Открыть статью

ИП Урсолов Владлен Сергеевич

ИНН 500118482352 · ОГРНИП 314500117700049

Реквизиты и контакты