Уникальные публикации PubMed, Europe PMC и Crossref, сохранённые в библиотеке. Одна статья учитывается один раз, даже если получена из нескольких источников. Личные исследования и документы команд не публикуются.
Идёт проверка счётчикаДоступно в поиске—
Публикации, уже подготовленные для быстрого поиска. Остальная библиотека подключается в фоне.
Переведено на русский—
Готовые переводы среди доступных в поиске публикаций. Автоматический медицинский перевод и проверка специалистом учитываются отдельно.
Полные тексты—
Найденные полные тексты среди доступных в поиске публикаций. Доступность определяется первоисточником и условиями использования.
Оригиналов на русском—
Русскоязычные оригиналы доступны без ожидания перевода. Ниже — языки остальных оригиналов; для них готовится медицинский перевод на русский.
Пополняем библиотеку по диагнозам—Проверяем состояние обновлений
Для каждого диагноза из справочника МКБ-10 ищем связанные публикации в научных базах и добавляем их в библиотеку. Числа ниже — диагнозы, а не статьи.
Если сбор прервался, тема требует повторной попытки. Уже сохранённые статьи остаются в библиотеке.
Нажмите на показатель для подробностей. Показатели поиска обновляются автоматически; размер всей библиотеки сверяется отдельно. Время последней проверки указано явно.
Результаты поиска
720 публикаций
Поиск: 70 мс
Публикации на разных языках · PubMed, Europe PMC и данные издателей через Crossref · 20 с найденным полным текстом
Gallium nitride (GaN)-based high-electron-mobility transistors (HEMTs) are key to high-power and high-frequency electronics owing to their wide bandgap, high breakdown field, and ability to form a high-density two-dimensional electron gas (2DEG) at the AlGaN/GaN interface. For power-switching systems, enhancement-mode (E-mode) operation, where devices remain normally off at zero gate bias, is preferred for intrinsic failsafe behavior and reduced standby power. However, conventional E-mode strategies, such as deep gate recessing or p-type gate insertion, often introduce fabrication complexity,
СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
A terahertz wave coupled to a field-effect transistor is usually strongly localized in the gated electron channel. While a strongly localized and asymmetrically distributed terahertz field is welcomed to induce a direct-current (DC) photocurrent and hence helps to improve the sensitivity of homodyne detection, it limits the heterodyne detection sensitivity since the shot noise induced by the DC photocurrent increases with the local oscillator (LO) power. Therefore, the localized field distribution must be carefully tailored to maximize the heterodyne mixing efficiency while minimizing the homo
СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Wearable devices are transforming health diagnostics through continuous, non-invasive monitoring. To enhance detection effectiveness, three aspects are crucial: sufficient sensitivity, antibacterial functionality of the skin biointerface, and mechanical compatibility. This study introduced a conformable wearable device based on two-dimensional-material MBene@AgNWs-doped serpentine organic electronic transistor biosensors (MB-Ag-Ser-OECTs), specifically engineered for antibacterial, non-invasive, and ultrasensitive estradiol detection. First, the MB-Ag-Ser-OECTs exhibit exceptional sensitivity,
СтатьяПолный текст не найденПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Self-heating effect is a major limitation in achieving the full performance potential of high power GaN power devices. In this work, we reported a micro-trench structure fabricated on the silicon substrate of an AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) via deep reactive ion etching, which was subsequently filled with high thermal conductive material, copper using the electroplating process. From the current-voltage characteristics, the saturation drain current was improved by approximately 17% with the copper filled micro-trench structure due to efficient heat dissipation. The IDS di
СтатьяПолный текст не найденПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Transmission electron microscopy has been employed to investigate the microstructure of nanocrystalline vacuum-deposited thin films of the small-molecule organic semiconductor 2,9-diphenyl-dinaphtho[2,3-b:2',3'-f]thieno[3,2-b]thiophene (DPh-DNTT) in functional bottom-gate organic thin-film transistors (TFTs) using both cross-sectional and plan-view specimens. Since the charge transport in organic TFTs is confined to the first molecular layer adjacent to the interface with the gate dielectric, the microstructure of this first molecular layer is of critical importance for the TFT performance, an
СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Ultrasensitive and specific detection of low-abundance tumor biomarkers remains a major challenge for early and minimally invasive cancer diagnosis. Here, we present a high-performance biosensing platform that integrates a genetically engineered bacterial S-layer with an AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor (HEMT) sensor for label-free detection of tumor antigens. As a proof-of-concept, the ovarian cancer antigen human epididymis protein 4 (HE4) was selected. Specifically, the S-layer protein rSbpA was fused with HE4-specific nanobody 1G8 to construct a bifunctional membrane capable of
СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Carcinoembryonic antigen (CEA) is widely used for tumor monitoring, yet electrical biosensor readouts are commonly based on endpoint or steady-state signals and therefore discard information contained in the early transient response. We developed a learning-assisted readout for an existing AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor (HEMT) aptasensor by integrating transient drain-source current sequences with four steady-state I-V descriptors in a bidirectional long short-term memory-multilayer perceptron (LSTM-MLP) model. Bias-voltage comparison identified V_DS = 0.5 V as the preferred opera
СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
In this work, we demonstrate a composite crystalline aluminum nitride (AlN) passivation layer for near-junction thermal management in aluminum gallium nitride/gallium nitride (AlGaN/GaN) high-electron-mobility transistors (HEMTs). The 120-nm-thick AlN film consists of an ordered interfacial AlN region together with an upper polycrystalline overlayer. Time-domain thermoreflectance (TDTR) measurements yield an effective cross-plane thermal conductivity of 47.2 W/m·K for the composite AlN, much higher than 2.58 W/m·K for the silicon nitride (SiNx) reference, together with a lower interfacial ther
СтатьяПолный текст не найденПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
We present a method for real-time terahertz imaging that employs a hydrogen cyanide (HCN) laser as a terahertz source at 0.89 THz and an AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor (HEMT) terahertz detector as a camera. We developed an HCN laser and constructed a transmission imaging system based on it. This combination utilizes a high-power HCN laser with a highly sensitive terahertz detector, enabling practical applications of real-time terahertz imaging. A resolution test plane was produced to determine that the system could achieve a lateral resolution of 2 mm, and real-time terahertz imag
СтатьяПолный текст не найденПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Ambipolar organic electrochemical transistors (OECTs) are essential for the high-density integration of complementary logic circuits with reduced fabrication complexity. However, progress in this field remains limited by underdeveloped design principles, and the development of ambipolar single-component organic mixed ionic-electronic conductors (OMIECs) has lagged significantly. Herein, we design a novel electron-deficient building block BITBII, and copolymerize it with distinct electron-donating units to obtain two polymers (PBITBII-2FT, PBITBII-F2T). PBITBII-F2T-based single-component OECTs
СтатьяПолный текст не найденПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
The sense of spiciness is related to the stimulation of vanilloid compounds contained in the foods. Although, the spiciness is commonly considered as the part of taste, it is more classified to the sense of pain stimulated on a tongue, namely, pungency, which is described as a tingling or burning on the tongue. Herein, first, a reusable electronic tongue based on a transient receptor potential vanilloid 1 (TRPV1) nanodisc conjugated graphene field-effect transistor is fabricated and spiciness-related pain evaluation with reusable electrode is demonstrated. The pungent compound reactive recepto
СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Lateral multiheterostructures with spatially modulated bandgaps have great potential for applications in high-performance electronic, optoelectronic and thermoelectric devices. Multiheterostructures based on transition metal tellurides are especially promising due to their tunable bandgap in a wide range and the rich variety of structural phases. However, the synthesis of telluride-based multiheterostructures remains a challenge due to the low activity of tellurium and the poor thermal stability of tellurium alloys. In this work, we synthesized monolayer WSe2-2xTe2x/WSe2-2yTe2y (x > y) multihe
СтатьяПолный текст не найденПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Two-dimensional indium selenide (InSe) is a promising material for next-generation electronics, characterized by a small electron effective mass and ultrahigh room-temperature mobility. This review systematically examines the fundamental physics and emerging quantum phenomena intrinsic to InSe. It also addresses the recent discovery of sliding ferroelectricity, which breaks macroscopic spatial inversion symmetry and yields robust polarization states without conventional displacive ionic dynamics. Technological progress from mechanical exfoliation to scalable bottom-up metal-organic chemical va
СтатьяОбзорПоиск полного текста в очередиПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Ultra-short microwave pulses with durations of 1 ns or less can go through a PIN limiter with low attenuation before the limiter responds and can therefore be directly injected into the subsequent low-noise amplifier (LNA). Based on this consideration, this paper reports the first investigation of degradation and damage in the GaAs pseudomorphic high-electron-mobility transistors (pHEMT) LNA induced by high-power ultra-short microwave pulses. The effects of pulse power, frequency, and repetition rate on the degradation and damage mechanisms of the LNA are investigated. The results show that, w
СтатьяПолный текст не найденПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
The rapid development of the Internet of Things (IoT) and smart industrial systems has created an urgent demand for high-performance gas sensors capable of room-temperature operation with low power consumption. To date, while field-effect transistor (FET) architectures have demonstrated remarkable capabilities in addressing key challenges related to miniaturization, power consumption, and sensitivity, the conventional designs' critical dependence on channel materials for selectivity and stability imposes stringent selection criteria, which significantly limits their application scope. Here, we
СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
The p-type transistor is an indispensable component of semiconductor technology, enabling a complementary operation with n-channel transistors for computation, storage, and communication. Achieving both high robustness and high efficiency is highly desirable but challenging for p-type transistors due to the limited semiconductors with reliable hole transport and their high activation energies. Here, we achieved a robust yet efficient p-type transistor by heterogeneously integrating an ultrawide-bandgap semiconductor and a high-κ dielectric layer through van der Waals integration. The p-type tr
СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
A facile and unusual reaction between thienoquinone compound QDTBDT2C and copper is reported. The formation of Cu-QDTBDT2C complex is proved by absorption spectra, IR spectra, Raman spectra, and X-ray photoelectron spectroscopy data. This complex can serve as a doping layer at the interface of Cu/QDTBDT2C and greatly improve the performance of organic transistors in which the copper electrode is source/drain electrodes and QDTBDT2C is an active layer. The transistors display an electron mobility of 0.95 cm2 V-1 s-1, to our knowledge, the highest electron mobility reported for copper electrode-
СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
The ability of organic semiconductors to be mechanically flexible, adjustable in their electronic properties, solution processable, and biocompatible has led to their identification as key materials for Neuromorphic and Bioelectronic systems. This review summarizes the relationship between molecular design, crystallinity and charge transport mechanisms, and device performance and discusses the role of conjugated polymers, small-molecule semiconductors, and mixed ionic-electronic conductors for brain-inspired computing and biointegrated electronics. It also explores key device architectures, in
СтатьяОбзорПолный текст не найденПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Ohm's law provides a fundamental framework for understanding charge transport in conductors and underpins the concept of electrical scaling that has enabled the continuous advancement of modern CMOS technologies. As transistors are scaled to smaller dimensions, channels inevitably enter low-dimensional regimes to achieve a higher performance. Low-dimensional materials such as atomically thin oxide semiconductors, 2D van der Waals semiconductors, and 1D carbon nanotubes have thus emerged as key candidates for extending Moore's law. Here, we reveal the fundamental distinction between three-dimen
СтатьяПолный текст не найденПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Ge1-xSnx and Si1-x-yGeySnx alloys are promising materials for future nanoelectronic applications owing to their high carrier mobilities and CMOS compatibility. However, ternary Si1-x-yGeySnx transistors have only theoretically been discussed, and there are only a few reports on lateral n-type Ge1-xSnx transistors to benchmark their material performance. The low equilibrium solid solubility of Sn in Si1-xGex (less than 1 at%) requires device fabrication processes at temperatures below the growth temperature of Si1-x-yGeySnx (x > equilibrium solubility) or at non-equilibrium conditions. Therefor
СтатьяПолный текст не найденПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.