Уникальные публикации PubMed, Europe PMC и Crossref, сохранённые в библиотеке. Одна статья учитывается один раз, даже если получена из нескольких источников. Личные исследования и документы команд не публикуются.
Идёт проверка счётчикаДоступно в поиске—
Публикации, уже подготовленные для быстрого поиска. Остальная библиотека подключается в фоне.
Переведено на русский—
Готовые переводы среди доступных в поиске публикаций. Автоматический медицинский перевод и проверка специалистом учитываются отдельно.
Полные тексты—
Найденные полные тексты среди доступных в поиске публикаций. Доступность определяется первоисточником и условиями использования.
Оригиналов на русском—
Русскоязычные оригиналы доступны без ожидания перевода. Ниже — языки остальных оригиналов; для них готовится медицинский перевод на русский.
Пополняем библиотеку по диагнозам—Проверяем состояние обновлений
Для каждого диагноза из справочника МКБ-10 ищем связанные публикации в научных базах и добавляем их в библиотеку. Числа ниже — диагнозы, а не статьи.
Если сбор прервался, тема требует повторной попытки. Уже сохранённые статьи остаются в библиотеке.
Нажмите на показатель для подробностей. Показатели поиска обновляются автоматически; размер всей библиотеки сверяется отдельно. Время последней проверки указано явно.
Результаты поиска
1300 публикаций
Поиск: 25 мс
Публикации на разных языках · PubMed, Europe PMC и данные издателей через Crossref · 31 с найденным полным текстом
More and more materials, with a growing variety of properties, are built into electronic devices. This is motivated both by increased device performance and by the studies of materials themselves. An important type of device is a Josephson junction based on the proximity effect between a quantum material and two superconducting contacts, useful for fundamental research as well as for quantum and other technologies. When both junction contacts are placed on the same surface, such as a two-dimensional material, the junction is called 'planar'. One outstanding challenge is that not all materials
СтатьяПолный текст не найденПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
One-dimensional GaN nanowires and their ternary alloys have developed from a structurally attractive wide-bandgap semiconductor architecture into a versatile platform for optoelectronic devices, neuromorphic functions, and emerging system-level applications. Their significance lies not only in the miniaturization of GaN devices, but also in the way the one-dimensional geometry reshapes strain relaxation, defect propagation, carrier transport, surface interaction, heterostructure design and optical confinement. Major progress in GaN nanowire-based optoelectronics is systematically discussed her
СтатьяПолный текст не найденПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Charge separation and charge transfer across interfaces are key aspects in the design of efficient photocatalysts for solar energy conversion. In this study, we investigate the hydrogen generating capabilities and underlying photophysics of nanostructured photocatalysts based on CdSe nanowires (NWs). Systems studied include CdSe, CdSe/CdS core/shell nanowires and their Pt nanoparticle-decorated counterparts. Femtosecond transient differential absorption measurements reveal how semiconductor/semiconductor and metal/semiconductor heterojunctions affect the charge separation and hydrogen generati
СтатьяПоддержка исследования: вне правительства СШАПоддержка правительства СШАПолный текст не найденПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Although oxide nanowires offer advantages for next-generation transparent display applications, they are also one of the most challenging materials for this purpose. Exposure of semiconducting channel areas of oxide nanowire transistors produces an undesirable increase in the photocurrent, which may result in unstable device operation. In this study, we have developed a Zn(2)SnO(4) nanowire transistor that operates stably regardless of changes in the external illumination. In particular, after exposure to a light source of 2100 lx, the threshold voltage (V(th)) showed a negative shift of less
СтатьяПоддержка исследования: вне правительства СШАПолный текст не найденПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Аннотация не предоставлена источником. Откройте карточку для перехода к публикации.
СтатьяПоддержка исследования: вне правительства СШАПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Аннотация не предоставлена источником. Откройте карточку для перехода к публикации.
СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
High-performance microphotodetectors require materials that combine strong light-matter interaction, fast charge transport, and ambient stability. Here, we demonstrate single-nanowire devices based on the 2D perovskite (TPA3)2PbBr4, synthesized via a controlled slow-cooling self-assembly process that yields defect-minimized, anisotropic nanowires with smooth facets. These microphotodetectors exhibit ultralow dark currents (∼10-15 A), high responsivity (up to 156 mA W-1), and exceptional specific detectivity (∼1011 Jones) under near-UV (405 nm) illumination, with rise and fall times in the mill
СтатьяПолный текст не найденПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Since free surfaces act as perfect sinks for radiation-induced defects, nanowires, owing to their high surface-to-volume ratio, are considered to be radiation tolerant. But the question remains on how this tolerance translates to their yielding and fracture behavior. Atomistic simulations of irradiated gold nanowires reported here show the existence of a size regime where the yield stress is affected by the accumulation of radiation damage. Our analysis also shows that, regardless of the diameter of the nanowire, early on during tensile loading, much of the radiation-induced defect content ini
СтатьяПолный текст не найденПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Аннотация не предоставлена источником. Откройте карточку для перехода к публикации.
СтатьяПоддержка исследования: вне правительства СШАПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Polymeric thermoelectrics provide a lightweight and intrinsically flexible platform for converting ubiquitous low-grade waste heat into sustainable electricity. However, their practical deployment has been hindered by a low dimensionless figure of merit (ZT) and the reliance on high performance on complex processing routes. Here, we introduce a simple and controllable solvent-assisted soft lithography approach for fabricating polymeric nanowires with exceptional thermoelectric performance. 1D confinement drives ordered chain assembly, boosting charge mobility (µ), while enhanced phonon-boundar
СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
The acoustoelectric effect is the generation of a acoustoelectric current in a non-biased device by a piezoactive acoustic wave. This effect has recently attracted the attention of researchers as a possible method to control the motion of massive objects in the quantum regime. We suggest using this effect for development of highly sensitive nanoelectronic sensors. The sensitivity could be increased through the use of modulation mode of operation based on the acoustic pilot signal and the transition from quasi-stationary measurement to measurement at the modulation frequency. The acoustic delay
СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Drying under solvent atmosphere (DUSA) was investigated as an experimental technique to generate self-assembled nanowires and needles from solutions of organic molecules under controlled conditions. Experimental observations of twisted nanowires are reported. These twisted nanowires were obtained by drying of solutions of achiral molecules under solvent controlled atmospheres: achiral, amphiphilic copper complexes were dissolved in an achiral solvent and these solutions were dried under controlled conditions. Two structurally related copper complexes were investigated. Microscopic investigatio
СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Integration of zinc oxide (ZnO) nanowires on miniaturized polymer structures can broaden its application in multi-functional polymer devices by taking advantages of unique physical properties of ZnO nanowires and recent development of polymer microstructures in analytical systems. In this paper, we demonstrate the hydrothermal growth of ZnO nanowires on polymer microstructures fabricated by UV nanoimprinting lithography (NIL) using a polyurethane acrylate (PUA). Since PUA is a siloxane-urethane-acrylate compound containing the alpha-hydroxyl ketone, UV-cured PUA include carboxyl groups, which
СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
The solution-based synthesis of nanoscale earth-abundant semiconductors has the potential to unlock simple, scalable, and tunable material processes which currently constrain development of novel compounds for alternative energy devices. One such promising semiconductor is zinc tin phosphide (ZnSnP2). We report the synthesis of ZnSnP2 nanowires via a solution-liquid-solid mechanism utilizing metallic zinc and tin in decomposing trioctylphosphine (TOP). Dried films of the reaction product are purified of binary phosphide phases by annealing at 345 °C. Tin is removed using a 0.1 M nitric acid tr
СтатьяПоддержка правительства СШАПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Semiconducting SnO2 nanowires have been used to demonstrate high-quality field-effect transistors, optically transparent devices, photodetectors, and gas sensors. However, controllable assembly of rutile SnO2 nanowires is necessary for scalable and practical device applications. Here, we demonstrate aligned, planar SnO2 nanowires grown on A-plane, M-plane, and R-plane sapphire substrates. These parallel nanowires can reach 100 μm in length with sufficient density to be patterned photolithographically for field-effect transistors and sensor devices. As proof-of-concept, we show that transistors
СтатьяПоддержка исследования: вне правительства СШАПоддержка правительства СШАПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Silicon nanowires are important semiconductor with core/shell structure. In this work, the piezoelectric material alpha-quartz was grown in the interface of silicon nanowires by thermal treatment at 600 °C for 0.5 h. These nanowires were employed as starting materials to fabricate piezoelectric nanogenerators, which could convert kinetic energy into electrical one, exhibiting an output voltage of 36.5 V and a response current of 1.4 μA under a free-falling object of 300 g at a height of 30 cm.
СтатьяПоддержка исследования: вне правительства СШАПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Defects in Au-catalysed CdTe nanowires vapour-liquid-solid-grown on polycrystalline underlayers have been critically evaluated. Their low-temperature photoluminescence spectra were dominated by excitonic emission with rarely observed above-gap emission also being recorded. While acceptor bound exciton lines due to monovalent metallic impurities (Ag, Cu or Na) were seen, only deeper, donor-acceptor-pair emission could be attributed to the Au contamination that is expected from the catalyst. Annealing under nitrogen acted to enhance the single crystal-like PL emission, whilst oxidizing and reduc
СтатьяПоддержка исследования: вне правительства СШАПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Strain engineering can be utilized to tune the fundamental properties of semiconductor materials for applications in advanced electronic and photonic devices. Recently, the effects of large strain on the properties of nanostructures are being intensely investigated to further expand our insights into the physics and applications of such materials. In this Letter, we present results on controllable buckled cadmium-sulfide (CdS) optical nanowires (NWs), which show extremely large energy bandgap tuning by >250 meV with applied strains within the elastic deformation limit. Polarization and spatial
СтатьяПоддержка NIH: внешняя программаПоддержка исследования: вне правительства СШАПоддержка правительства СШАПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
The strong temperature dependence of the electrical conductivity in semiconductors was employed for gas and pressure sensing with a self-heated Si nanowire resistor. The electrical conductivity in such a device depends on heat dissipation and partitioning inside the device and was studied comparatively for suspended and supported device architectures. The appearance of the exhaustion region in the temperature-dependent resistivity of a Joule-heated nanowire was used as a temperature marker for implementation of the quasi-constant temperature operation mode. At low pressures, the sensor is idle
СтатьяПоддержка правительства СШАПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Planar defects in compound (III-V and II-VI) semiconductor nanowires (NWs), such as twin and stacking faults, are universally formed during the catalytic NW growth, and they detrimentally act as static disorders against coherent electron transport and light emissions. Here we report a simple synthetic route for planar-defect free II-VI NWs by tunable alloying, i.e. Cd(1-x)Zn(x)Te NWs (0 ≤ x ≤ 1). It is discovered that the eutectic alloying of Cd and Zn in Au catalysts immediately alleviates interfacial instability during the catalytic growth by the surface energy minimization and forms homogen
СтатьяПоддержка исследования: вне правительства СШАПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.