m+Medelevator.RU
Открытая медицинская библиотека

Найдите доказательства.
Сосредоточьтесь на главном.

Медицинские публикации, первоисточники и полные тексты.
Для клинического вопроса, нового знания и следующего исследования.

Ищем по исходному запросу. Уточняем медицинские термины для поиска на других языках…

Библиотека сейчас

От первоисточника до медицинского перевода

Подключаем обновления…
Собрано из открытых источников—

Уникальные публикации PubMed, Europe PMC и Crossref, сохранённые в библиотеке. Одна статья учитывается один раз, даже если получена из нескольких источников. Личные исследования и документы команд не публикуются.

Идёт проверка счётчика
Доступно в поиске—

Публикации, уже подготовленные для быстрого поиска. Остальная библиотека подключается в фоне.

Переведено на русский—

Готовые переводы среди доступных в поиске публикаций. Автоматический медицинский перевод и проверка специалистом учитываются отдельно.

Полные тексты—

Найденные полные тексты среди доступных в поиске публикаций. Доступность определяется первоисточником и условиями использования.

Оригиналов на русском—

Русскоязычные оригиналы доступны без ожидания перевода. Ниже — языки остальных оригиналов; для них готовится медицинский перевод на русский.

Пополняем библиотеку по диагнозам—Проверяем состояние обновлений

Для каждого диагноза из справочника МКБ-10 ищем связанные публикации в научных базах и добавляем их в библиотеку. Числа ниже — диагнозы, а не статьи.

Если сбор прервался, тема требует повторной попытки. Уже сохранённые статьи остаются в библиотеке.

Найти литературу по своему диагнозу →

Нажмите на показатель для подробностей. Показатели поиска обновляются автоматически; размер всей библиотеки сверяется отдельно. Время последней проверки указано явно.

Результаты поиска

6092 публикаций

Поиск: 151 мс
Публикации на разных языках · PubMed, Europe PMC и данные издателей через Crossref · 81 с найденным полным текстом

3D Chiral Metal Halide Semiconductors.

Chiral metal halides are promising materials for nonlinear optics and spin-selective devices. Typically, chirality is introduced via large chiral organic cations, leading to low-dimensional structures and limitations in charge transport. Here, we design a family of chiral metal halides based on the relatively small ditopic R/S-3-aminoquinuclidine (3-AQ) cation, forming an (R/S-3AQ)-Pb2Br6 structure closely related to the 3D corner-sharing octahedral network of perovskites. The resulting material exhibits a direct bandgap, isotropic band structure, and fully 3D photoexcitation. Circular dichroi

СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 40535462Открыть статью

Inclined Partial Dislocations in Nitride Semiconductors.

We investigate a-type threading edge dislocations (TEDs) and (a+c)-type threading mixed dislocations (TMDs) in (0001) gallium nitride grown on (111) silicon, using the short depth-of-field of a scanning transmission electron microscope equipped with an aberration corrector. Almost all are inclined to the growth direction. While TMDs are known to dissociate into two partial dislocations bounding a prismatic stacking fault, we also observe a similar dissociation of TEDs. Both types of dislocation have straight c-axis segments separated by jogs that displace the dislocation core along an a-axis d

СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 42691376Открыть статью

Exceptional degeneracies in non-Hermitian Rashba semiconductors.

Exceptional points (EPs) are spectral degeneracies of non-Hermitian (NH) systems where eigenvalues and eigenvectors coalesce, inducing unique topological phases that have no counterpart in the Hermitian realm. Here we consider an NH system by coupling a two-dimensional semiconductor with Rashba spin-orbit coupling (SOC) to a ferromagnet lead and show the emergence of highly tunable EPs along rings in momentum space. Interestingly, these exceptional degeneracies are the endpoints of lines formed by the eigenvalue coalescence at finite real energy, resembling the bulk Fermi arcs commonly defined

СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 37021876Открыть статью

Designing Inorganic Semiconductors with Cold-Rolling Processability.

While metals can be readily processed and reshaped by cold rolling, most bulk inorganic semiconductors are brittle materials that tend to fracture when plastically deformed. Manufacturing thin sheets and foils of inorganic semiconductors is therefore a bottleneck problem, severely restricting their use in flexible electronic applications. It is recently reported that a few single-crystalline 2D van der Waals (vdW) semiconductors, such as InSe, are deformable under compressive stress. Here it is demonstrated that intralayer fracture toughness can be tailored via compositional design to make ino

СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 35981888Открыть статью

Combinatorial Synthesis of Magnesium Tin Nitride Semiconductors.

Nitride materials feature strong chemical bonding character that leads to unique crystal structures, but many ternary nitride chemical spaces remain experimentally unexplored. The search for previously undiscovered ternary nitrides is also an opportunity to explore unique materials properties, such as transitions between cation-ordered and -disordered structures, as well as to identify candidate materials for optoelectronic applications. Here, we present a comprehensive experimental study of MgSnN2, an emerging II-IV-N2 compound, for the first time mapping phase composition and crystal structu

СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 32279492Открыть статью

Research progress of photocatalytic sterilization over semiconductors.

Considering the situation that environmental issues become more serious day by day, research on practical applications of semiconductor photocatalysis for environmental purification has attracted broad attention, including the remediation of water pollution, air contaminant treatment, photocatalytic sterilization etc., among which the application of semiconductor photocatalytic properties for the disinfection of soil surfaces, air and water, such as TiO2, is of great interest. In this paper, we give an overview of the photocatalytic antibacterial ability of TiO2 and other novel carbon material

СтатьяОбзорПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 35519411Открыть статью

Universal crystallization kinetics of solution-processed semiconductors.

Heterogeneous crystallization kinetics critically govern the morphology and performance of solution-processed semiconductors, yet morphology control is often achieved through trial-and-error optimization. Quantitative understanding of crystallization is essential for precise morphology control but is limited by the simultaneous occurrence of heterogeneous nucleation and crystal growth. Here, a time-defined induced nucleation strategy has been developed to initiate crystallization at specific stages of solution processing. Systematic variation of nucleation timing reveals three distinct morphol

СтатьяПолный текст не найденПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 42875462Открыть статью

Spin effects in metal halide perovskite semiconductors.

Metal halide perovskite semiconductors (MHSs) are emerging as potential candidates for opto-spintronic applications due to their strong spin-orbit coupling, favorable light emission characteristics and highly tunable structural symmetry. Compared to the significant advancements in the optoelectronic applications of MHSs, the exploration and control of spin-related phenomena remain in their early stages. In this minireview, we provide an overview of the various spin effects observed both in achiral and chiral MHSs, emphasizing their potential for controlling interconversion between spin, charge

СтатьяОбзорПоиск полного текста в очередиПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 40181745Открыть статью

Detecting the Knowledge Domains of Compound Semiconductors.

The development of compound semiconductors (CS) has received extensive attention worldwide. This study aimed to detect and visualize CS knowledge domains for quantifying CS research patterns and emerging trends through a scientometric review based on the literature between 2011 and 2020 by using CiteSpace. The combined dataset of 24,622 bibliographic records were collected through topic searches and citation expansion to ensure adequate coverage of the field. While research in "solar cell" and "perovskite tandem" appears to be the two most distinctive knowledge domains in the CS field, researc

СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 35334767Открыть статью

Carrier-controlled ferromagnetism in transparent oxide semiconductors.

The search for an ideal magnetic semiconductor with tunable ferromagnetic behaviour over a wide range of doping or by electrical gating is being actively pursued as a major step towards realizing spin electronics. A magnetic semiconductor having a high Curie temperature, capable of independently controlled carrier density and magnetic doping, is crucial for developing spin-based multifunctional devices. Cr-doped In(2)O(3) is such a unique system, where the electrical and magnetic behaviour-from ferromagnetic metal-like to ferromagnetic semiconducting to paramagnetic insulator-can be controllab

СтатьяПоддержка исследования: вне правительства СШАПоддержка правительства СШАПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 16547517Открыть статью

Improving the magnetic moment of Ca2Ge and promoting the conversion of semiconductors to diluted magnetic semiconductors using Mn-doping.

The dilute magnetic properties of materials have important potential applications in the field of electronic science and technology. Intrinsic Ca2Ge is a new environmentally friendly semiconductor material, and exhibits cubic and orthorhombic phases. The crystal structure characteristics of Ca2Ge indicate that the modulation of its dilute magnetic properties can theoretically be achieved by doping with magnetic elements. The study of band structures shows that Ca2Ge is a semiconductor, while Mn doped Ca2Ge is a semi-metal. The results of density of states and atomic population analysis show th

СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 38410366Открыть статью

Lamellar-Paracrystallinity-Controlled Thermal Transport in Polymer Semiconductors.

Understanding thermal transport in polymer semiconductors is crucial for thermal management in organic electronic and energy-harvesting devices, directly affecting their performance, safety and long-term stability. However, the structure-property relationship and underlying thermal transport physics remain largely unexplored. Herein, thermal conductivities of 11 representative polymer semiconductors were measured using an improved suspended‑3ω technique, revealing a strong correlation between thermal conductivity and the paracrystalline disorder of lamellar packing. It is observed that the in‑

СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 42272426Открыть статью

Giant Anisotropic Spin Absorption in Chiral Hybrid Semiconductors.

Control of spin-current absorption in non-magnetic materials is central to realizing spin-current switches and low-power spintronic technologies, yet anisotropic responses have so far been limited to a narrow class of crystalline materials. Here we demonstrate giant chirality-induced anisotropic spin-current absorption (CASA) in solution-processed chiral hybrid organic-inorganic semiconductors (HOISs), establishing them as a versatile platform for symmetry-selective spin manipulation. Zero-dimensional [R/S/rac-MBA]4Bi2Cl10 (MBA = α-methylbenzylammonium) HOISs exhibit more than an order-of-magn

СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 42817862Открыть статью

Pechmann Dye-Containing Diketopyrrolopyrrole-Based Stretchable Polymer Semiconductors.

Conjugated polymer design via random terpolymerization with irregular backbones has emerged as a strategy for stretchable organic electronics, requiring diverse molecular architectures to balance charge carrier mobility (μ) and stretchability. In this study, diketopyrrolopyrrole (DPP)-based conjugated polymers with 0%, 5%, and 10% Pechmann dye (PDy) units, denoted as DP-T0, DP-T5, and DP-T10, respectively, are introduced, and explore the impact of PDy on structural mobility and stretchability through experimental and computational analyses. Electrical measurements reveal hole mobilities rangin

СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 39973578Открыть статью

Colossal angular magnetoresistance in ferrimagnetic nodal-line semiconductors.

Efficient magnetic control of electronic conduction is at the heart of spintronic functionality for memory and logic applications1,2. Magnets with topological band crossings serve as a good material platform for such control, because their topological band degeneracy can be readily tuned by spin configurations, dramatically modulating electronic conduction3-10. Here we propose that the topological nodal-line degeneracy of spin-polarized bands in magnetic semiconductors induces an extremely large angular response of magnetotransport. Taking a layered ferrimagnet, Mn3Si2Te6, and its derived comp

СтатьяПоддержка исследования: вне правительства СШАПоиск полного текста в очередиПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 34819684Открыть статью

Ultra-High-Temperature Ferromagnetism in Intrinsic Tetrahedral Semiconductors.

Ferromagnetic semiconductors exhibit novel spin-dependent optical, electrical, and transport properties, which are promising for next-generation highly functional spintronic devices. However, the possibility of practical applications is hindered by their low Curie temperature. Currently, whether semiconducting ferromagnetism can exist at room temperature is still unclear because of the absence of a solid physical mechanism. Here, on the basis of tight-binding model analysis and first-principles calculations, we report that ferromagnetism in a tetrahedral semiconductor originating from superexc

СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 31309834Открыть статью

Designing Isoelectronic Counterparts to Layered Group V Semiconductors.

In analogy to III-V compounds, which have significantly broadened the scope of group IV semiconductors, we propose a class of IV-VI compounds as isoelectronic counterparts to layered group V semiconductors. Using ab initio density functional theory, we study yet unrealized structural phases of silicon monosulfide (SiS). We find the black-phosphorus-like α-SiS to be almost equally stable as the blue-phosphorus-like β-SiS. Both α-SiS and β-SiS monolayers display a significant, indirect band gap that depends sensitively on the in-layer strain. Unlike 2D semiconductors of group V elements with the

СтатьяПоддержка правительства СШАПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 26190265Открыть статью

Contemporary Challenges in van der Waals 2D Semiconductors.

van der Waals (vdW) layered semiconductors have emerged as a unique class of quantum materials distinguished from their bulk counterparts by reduced dielectric screening, strong Coulomb interactions, large exciton binding energies, strong spin-orbit coupling, and pronounced thickness-dependent band structures. These fundamental attributes have enabled the exploration of exotic many-body physics and a broad spectrum of device applications, ranging from field-effect transistors and ferroelectric switches to optoelectronics, magnetic semiconductors, neuromorphic computing, and energy harvesting s

СтатьяОбзорПоиск полного текста в очередиПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 41553935Открыть статью

Tunable ferrovalley semiconductors of Janus VSeCl and VSeBr.

2D ferrovalley semiconductors have attracted extensive research interest due to their valley degree of freedom, which is useful for encoding, storing, and manipulating information. To achieve a large valley polarization and high Curie temperature in ferrovalley semiconductors based on the experimentally synthesized VSe2, we conduct first-principles calculations on Janus VSeCl and VSeBr monolayers and investigate their magnetic and valley properties induced by strain and carrier doping effects. It is found that both the monolayers are dynamically and thermally stable, indicating their experimen

СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 41788076Открыть статью

High Mobility Emissive Organic Semiconductors for Optoelectronic Devices.

High mobility emissive organic semiconductors (HMEOSCs) are a kind of unique semiconducting material that simultaneously integrates high charge carrier mobility and strong emission features, which are not only crucial for overcoming the performance bottlenecks of current organic optoelectronic devices but also important for constructing high-density integrated devices/circuits for potential smart display technologies and electrically pumped organic lasers. However, the development of HMEOSCs is facing great challenges due to the mutually exclusive requirements of molecular structures and packi

СтатьяОбзорПоиск полного текста в очередиПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 39792593Открыть статью

ИП Урсолов Владлен Сергеевич

ИНН 500118482352 · ОГРНИП 314500117700049

Реквизиты и контакты