Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.) · 2012
Piezo-phototronic effect of CdSe nanowires.
СтатьяПоддержка исследования: вне правительства СШАПоддержка правительства СШАНазвание и аннотация: Перевод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Dong Lin, Niu Simiao, Pan Caofeng, Yu Ruomeng, Zhang Yan, Wang Zhong Lin
Аннотация
The piezo-phototronic effect on transport properties of flexible CdSe NW devices is investigated. An optimum sensitivity of the flexible CdSe NW devices can be achieved by adjusting the applied strain and illumination intensity. The piezo-phototronic effect under compressive strain increases the internal electric field of the Schottky barrier, and assists the separation of the photo-excited electron-hole pairs, resulting in the increase of photocurrent. A trap-mediated mechanism is responsible for the decreased hole separation when the strain is larger than the critical strain.