Journal of nanoscience and nanotechnology · 2005
Switching time of nanowire memory.
Оценочное исследованиеСтатьяПоддержка правительства СШАНазвание и аннотация: Перевод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Varfolomeev A, Pokalyakin V, Tereshin S, Zaretsky D, Bandyopadhyay S
Аннотация
Cadmium sulfide nanowires of 10-nm diameter, electrodeposited in porous anodic alumina films, exhibit an electronic bistability that can be harnessed for non-volatile memory. The current-voltage characteristics of the wires show two stable conductance states that are well-separated (conductances differ by more than 4 orders of magnitude) and long lived (longevity > 1 year at room temperature). These two states can encode binary bits 0 and 1. Here we report measurements of the switching time to switch from the high- to the low-conductance state. These measurements also shed some light on the physical mechanisms underlying the bistability.