Медицинская библиотека · Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.) · 2011
Fabrication of silicon oxide nanodots with an areal density beyond 1 teradots inch(-2).
СтатьяПоддержка правительства СШАПеревод в очереди
Аннотация
The combination of solvent annealing, surface reconstruction, and a tone-reversal etching procedure provides an attractive approach to utilize block copolymer (BCP) lithography to fabricate highly ordered and densely packed silicon oxide nano-dots on a surface. The obtained silicon oxide nano-dots feature an areal density of 1.3 teradots inch(-2) .
Для цитирования: Xu Ji, Hong Sung Woo, Gu Weiyin, Lee Kim Y, Kuo David S, Xiao Shuaigang, Russell Thomas P. Fabrication of silicon oxide nanodots with an areal density beyond 1 teradots inch(-2).. Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). 2011. DOI: 10.1002/adma.201102964.
Предметные рубрики MeSH
Подготовка и перевод публикации
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Тип публикации указан по данным источника. Уровень доказательности автоматически не присваивается.