ACS nano · 2007
2007 IEEE Device Research Conference: Tour de Force Multigate and Nanowire Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors and Their Application.
Conference ProceedingsНазвание и аннотация: Перевод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Zhang Pengpeng, Mayer Theresa S, Jackson Thomas N
Аннотация
Scaling of the conventional planar complementary metal oxide semiconductor (CMOS) faces many challenges. Top-down fabricated gate-all-around Si nanowire FinFETs, which are compatible with the CMOS processes, offer an opportunity to circumvent these limitations to boost the device scalability and performance. Beyond applications in CMOS technology, the thus fabricated Si nanowire arrays can be explored as biosensors, providing a possible route to multiplexed label-free electronic chips for molecular diagnostics.