MedElevator Войти в исследования
Открытая медицинская библиотека

Результаты поиска

Медицинские публикации, первоисточники и полные тексты.
Для клинического вопроса, нового знания и следующего исследования.

Ищем по исходному запросу. Уточняем медицинские термины для поиска на других языках…

Результаты поиска

743 публикаций

Поиск: 21 мс
Публикации на разных языках · PubMed, Europe PMC и данные издателей через Crossref · 20 с найденным полным текстом

Spatially deterministic nucleation of 2D semiconductors by etching flux.

Nucleation control is fundamental to semiconductor deposition, governing when, where and how crystalline materials form. Conventional strategies can regulate nucleation density and, through area-selective growth, confine deposition to designated regions1-13. However, they generally do not determine where an individual nucleus forms within the growth regions, leaving even single-nucleation events spatially stochastic and limiting deterministic construction of crystalline materials. Here we report etching-flux-mediated single-centred nucleation of two-dimensional (2D) semiconductors to determini

СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 42844409Открыть статью

Electronic and optical properties of Te-doped GaN monolayer before and after adsorption of dimethylmercury - DFT+U/TDDFT & DFT-D2 methods.

Electronic, magnetic and optical properties of Te doped g-GaN monolayer, before and after adsorbing the dimethylmercury molecule, (CH3)2Hg, were studied by DFT approach. Our calculations show that, unlike pure g-GaN monolayer, the g-GaN + Te is n-type, in which the previous gap (2.16 eV) changes to the spin gaps of 1.53 and 1.65 eV. This monolayer is a III-V ferromagnetic, that it can be used in the spin field effect transistors (FET). We showed that the adsorption of (CH3)2Hg by g-GaN + Te monolayer is possible. The g-GaN + Te+(CH3)2Hg layer is n-type, and its band gap is 2.23 eV. Both g-GaN 

СтатьяПолный текст не найденПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 33465525Открыть статью

Amyloid-like nanofilm-decorated antifouling field effect transistor biosensor array for enhancing Alzheimer's disease diagnosis.

Alzheimer's disease (AD) is a common neurodegenerative disorder. Compared to the limited specificity of single-biomarker detection, the combined detection of multiple biomarkers can significantly improve the accuracy of AD diagnosis. In this study, a field-effect transistor (FET) biosensor array integrating four independently functionalized regions was fabricated by modifying carbon nanotube (CNT) surfaces with amyloid bovine serum albumin (AL-BSA) nanofilm as an antifouling layer, enabling the simultaneous detection of multiple tau proteins. The proposed FET biosensor exhibited excellent anti

СтатьяПолный текст не найденПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 42462634Открыть статью

Target-Induced Chemical Reaction Modulated Optical Fiber-Gated Organic Photoelectrochemical Transistor for in Vivo H2S Detection.

Real time detection of hydrogen sulfide (H2S) in deep brain regions is of great significance. Photoelectrochemical (PEC) biosensors hold promise for real-time monitoring but low sensitivity due to the use of small electrode restrained its application. In this study, a miniaturized sensor that integrates organic photoelectrochemical transistors (OPECTs) with optical fiber (OF) microelectrodes was designed for the first time, which can amplify the small PEC signal into large channel current change. A conductive gold layer and cuprous oxide nanoparticles (Cu2O NPs) were sequentially deposited ont

СтатьяПоддержка исследования: вне правительства СШАПолный текст не найденПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 40148067Открыть статью

Ultrasensitive okadaic acid detection via DNA hydrogel-gated organic photoelectrochemical transistor biosensing platform.

The burgeoning organic photoelectrochemical transistor (OPECT) biosensor has ascended as a promising technology for the detection and analysis of biomolecules. In this endeavor, a novel DNA hydrogel ultramicro-change gated OPECT aptasensor was innovatively conceived. Specifically, Sn3O4/CdS QDs photosensitive material was introduced onto the working electrode, which served for interface and light modulation and exhibited a high current gain. Unlike conventional biomolecular interfaces, a targeted DNA hydrogel layer was established at the interface through the actions of a catalyst and initiato

СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 40992055Открыть статью

Chemical Synthesis of Two-Dimensional Transition Metal Dichalcogenide Heterostructures and Superlattices and Their Applications in Transistor Devices.

ConspectusTwo-dimensional (2D) transition metal dichalcogenides (TMDs), such as MoS2, WS2, and WSe2, have emerged as compelling candidates for next-generation integrated circuits (ICs) owing to their atomically thin geometry, dangling-bond-free surfaces, and tunable electronic properties. These intrinsic attributes enable them to overcome the fundamental limitations of traditional silicon-based semiconductors, such as short-channel effects in ultrascaled devices. Beyond single-component TMDs, the deliberate assembly of TMD building blocks into heterostructures and superlattices─with spatially

СтатьяПолный текст не найденПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 42036982Открыть статью

Thermal Transport in Atomic Layer Deposition-Grown Beryllium Oxide Thin Films and Implications on Device Cooling.

Thin film beryllium oxide (BeO) is an emerging material that can potentially be used as a high thermal conductivity gate dielectric and/or passivation layer for high power electronic devices. This study presents the measurement of the thermal conductivity and thermal boundary conductance associated with plasma-enhanced atomic layer deposition (PEALD)-grown polycrystalline BeO films on Si substrates with thicknesses ranging from 25 to 250 nm. The measured out-of-plane thermal conductivities of the 250, 113, 53, and 26 nm-thick BeO films are 13.45 ± 1.45, 8.7 ± 1.35, 7.2 ± 2.1, and 5 ± 2.2 W m-1

СтатьяПолный текст не найденПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 42900626Открыть статью

Design and Optimization of AlGaN/GaN Graded Barrier MOS-HEMT Biosensor for Breast Cancer Biomolecule detection.

In this paper, we have designed and simulated an AlGaN/GaN graded barrier metal oxide semiconductor high electron mobility transistor (MOS-HEMT) heterojunction biosensor for detection of Breast Cancer biomolecules. A graded AlGaN barrier layer is utilized to enhance polarization-induced charges, thus increasing the density of 2DEG and improving carrier mobility in the channel. The proposed device uses Triple Metal Gate (TMG) with different work functions (M1, M2, M3) for controlling the electric field profile along the channel and improves the electrostatic control of the proposed biosensor. A

СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 42472743Открыть статью

Contact-First Integration toward Pristine Metal-MoS2 Interfaces.

Interfacial engineering remains a critical challenge for realizing high-performance and reliable two-dimensional (2D) semiconductor electronics. Despite rapid advances in wafer-scale synthesis of transition metal dichalcogenides (TMDs), the formation of low-resistance and thermally stable metal-semiconductor contacts during postgrowth process continues to limit device performance and stability. Conventional fabrication routes that combine polymer-assisted transfer with subsequent metal deposition inevitably introduce interfacial contamination and structural damage, leading to strong Fermi-leve

СтатьяПолный текст не найденПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 42013441Открыть статью

Impacts of fluorophenyl-terminal side chains on crystal structures and charge-transport properties of n-type organic semiconductors with layered brickwork packing motif.

Molecular packing is crucial for charge-transport properties of organic semiconductors (OSCs). Nowadays, most OSCs consist of the π-electron core and insulating side-chain substituents. While the former is the primary factor of molecular packing and resultant charge transport, the latter is also the significant tuning element for them. Hence, it is worth addressing their individual roles. In this work, a potential impact of fluorine substitution on molecular packing and charge-transport properties is reported based on the positional isomers of n-type OSCs which have phenethyl side chains: para

СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 42567855Открыть статью

Crystal Growth of hBN from Ni and Ni-Cr Solutions at High N2 pressure.

Single crystals of hexagonal BN have been grown from solutions on the surface of Ni-Cr and pure Ni metals under a pressure of N2 gas of 1000-1500 bar. The transparent and colorless hBN crystals obtained in this study exhibited high structural quality and uniformity as confirmed by micro-Raman mapping, showing less than 8 cm-1 widths of the high-frequency E2g Raman peaks corresponding to the intralayer vibrations of the B and N atoms in hBN. Optical absorption measurements indicated the indirect character of electronic transitions in bulk hBN. Due to the solubility of nitrogen increased by a fa

СтатьяПолный текст не найденПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 41206878Открыть статью

A case study of radiotherapy treatment for Dupuytren's contracture and Ledderhose disease.

Dupuytren's contracture (DC) and Ledderhose disease (LD) are benign conditions of the fascia in the hands and feet respectively, which result in contracture of the digits. Radiation therapy has been proven effective in treating early-stage DC and LD; however, the problem is that there is a paucity of literature regarding radiation therapy treatment set-up for Dupuytren's and Ledderhose patients. The purpose of this case study was to demonstrate treatment set-up considerations of 6 and 9 MeV for DC and LD cases in radiotherapy (RT). Two patients were selected from the same cancer center, each d

Клинический случайСтатьяПолный текст не найденПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 37059629Открыть статью

Emulating Bilingual Synaptic Response Using a Junction-Based Artificial Synaptic Device.

Excitatory and inhibitory postsynaptic potentials are the two fundamental categories of synaptic responses underlying the diverse functionalities of the mammalian nervous system. Recent advances in neuroscience have revealed the co-release of both glutamate and GABA neurotransmitters from a single axon terminal in neurons at the ventral tegmental area that can result in the reconfiguration of the postsynaptic potentials between excitatory and inhibitory effects. The ability to mimic such features of the biological synapses in semiconductor devices, which is lacking in the conventional field ef

СтатьяПоддержка правительства СШАПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 28656774Открыть статью

A graphene FET biosensing platform integrated with Fe₃O₄@SiO₂@Ce-Zr bimetallic MOFs for rapid SARS-CoV-2 detection.

A hybrid biosensing platform was developed for ultrasensitive detection of the SARS-CoV-2 nucleocapsid (N) protein by integrating an antibody-engineered magnetic bimetal-organic framework with a graphene field-effect transistor (GFET) readout. In this design, Fe₃O₄@SiO₂@Ce-Zr MOF particles were prepared and functionalized with an anti-SARS-CoV-2 N protein antibody (AntiE2) to selectively capture the N protein in phosphate-buffered saline (PBS). After magnetic enrichment and washing with PBS, the resulting immune complexes were interfaced with a GFET to convert the biorecognition event into an

СтатьяПолный текст не найденПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 41941844Открыть статью

A perspective on the potential use of aptamer-based field-effect transistor sensors as biosensors for ovarian cancer biomarkers CA125 and HE4.

Ovarian cancer (OC) is one of the most fatal gynaecological malignancies, primarily because of its typically asymptomatic early stages, which complicates early detection. Therefore, developing sensitive and appropriate biomarkers for efficient diagnosis of OC is urgently needed. Aptamers, short sequences of single-stranded DNA or RNA molecules, have become crucial in tumor diagnosis because of their high affinity for specific molecules produced by tumors. This ability allows aptamers to accurately detect OC, thus providing better survival rates and a reduced disease burden. Biosensors that com

СтатьяОбзорПоиск полного текста в очередиПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 40120511Открыть статью

Highly Sensitive Detection of Engrailed-2 Protein Biomarker in Urine for Using Solution-Gated Graphene Transistor Diagnosis of Prostate Cancer.

Engrailed-2 (EN2) protein, a transcription factor in the homologous domain expressed in prostate cancer (PCa) cells and secreted into the urine, is considered a promising biomarker for noninvasive detection of PCa. EN2 protein in urine samples can be obtained by noninvasive means, but the low biomarker concentration in urine samples poses a great challenge for noninvasive detection of the PCa biomarker. Herein, we develop a solution-gated graphene transistor (SGGT) biosensor to detect the biomarker of the EN2 protein for PCa diagnosis. The aptamer probes are immobilized to the gold gate electr

СтатьяПоддержка исследования: вне правительства СШАПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 40038071Открыть статью

One-base-mismatch CRISPR-based transistors for single nucleotide resolution assay.

An effective strategy for accurately detecting single nucleotide variants (SNVs) is of great significance for genetic research and diagnostics. However, strict amplification conditions, complex experimental instruments, and specialized personnel are required to obtain a satisfactory tradeoff between sensitivity and selectivity for SNV discrimination. In this study, we present a CRISPR-based transistor biosensor for the rapid and highly selective detection of SNVs in viral RNA. By introducing a synthetic mismatch in the crRNA, the CRISPR-Cas13a protein can be engineered to capture the target SN

СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 38986250Открыть статью

Laser direct patterning of indium tin oxide for defining a channel of thin film transistor.

In this work, using a Q-switched diode-pumped neodymium-doped yttrium vanadate (Nd:YVO4, lambda = 1064 nm) laser, a direct patterning of indium tin oxide (ITO) channel was realized on glass substrates and the results were compared and analyzed in terms of the effect of repetition rate, scanning speed on etching characteristics. The results showed that the laser conditions of 40 kHz repetition rate with a scanning speed of 500 mm/s were appropriate for the channeling of ITO electrodes. The length of laser-patterned channel was maintained at about 55 microm. However, residual spikes (about 50 nm

СтатьяПоддержка исследования: вне правительства СШАПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 24245327Открыть статью

Near-Ideal van der Waals NbSe2 Contacts for WSe2 CMOS Electronics.

Reliable, low-resistance contacts remain a central bottleneck in two-dimensional (2D) semiconductor devices, where Fermi-level pinning (FLP) at metal-semiconductor interfaces limits carrier injection and masks intrinsic transport. Here, we demonstrate that metallic van der Waals (vdW) contacts based on transferred NbSe2 enable near-ideal p-type operation in WSe2 field-effect transistors. Devices with NbSe2 contacts exhibit clear p-type characteristics, ohmic behavior, and high on/off ratios, in contrast to conventional high-work-function metal contacts. Temperature-dependent measurements revea

СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 41960666Открыть статью

Direct Synthesis of Atomically Thin High-κ Bi2SeO5 and Derivatives as a Single-Crystalline Dielectric.

Two-dimensional (2D) materials hold great potential for next-generation electronics. However, the synthesis of compatible dielectrics with a high dielectric constant (κ) presents a critical bottleneck for realizing high-performance field-effect transistors (FETs). Here, we report the direct synthesis of atomically thin Bi2SeO5 single-crystalline by a flux-assisted growth (FAG) method. Leveraging the confined thin molten flux, Bi2SeO5 flakes with thicknesses down to 3.9 nm, lateral sizes up to ∼0.5 mm, and a dielectric constant of ∼15 are achieved. Furthermore, two novel 2D dielectrics of Bi2Se

СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

PMID 41848313Открыть статью