m+Medelevator.RU
← Поиск публикаций
The journal of physical chemistry. B · 2006

Optoelectronic switches based on wide band gap semiconductors.

СтатьяПоддержка исследования: вне правительства СШАНазвание и аннотация: Перевод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…

История · было → стало

Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.

Hebda Maciej, Stochel Grazyna, Szaciłowski Konrad, Macyk Wojciech

Аннотация

Switching of photocurrent direction in semiconducting systems upon changes of the electrode potential or incident light wavelength was realized by a series of photoelectrodes covered with titania modified with pentacyanoferrate complexes, [Fe(CN)(5)L](n)(-) (L = NH(3), thiodiethanol, thiodipropanol). These materials were characterized by optical spectroscopy and electrochemistry. The structure of the surface complexes was modeled using simple quantum-chemical models. The electrodes described in this paper enable control of the photocurrent direction by two stimuli: Changing the wavelength or the photoelectrode potential easily switches the direction of photocurrent. The materials are different from those of similar characteristics studied by other authors: They are not composites comprising of two types of semiconductors but rather engineered uniform materials. The photocurrent switching phenomenon is an intrinsic feature resulting from a specific electronic structure of the surface-modified semiconductor.

Предметные рубрики MeSH

ИП Урсолов Владлен Сергеевич

ИНН 500118482352 · ОГРНИП 314500117700049

Реквизиты и контакты