There are considerable interests to detect and monitor the abnormal level of minerals in water for avoiding/preventing any toxic effects after consumption. Herein, we report the fabrication of solution-gated field-effect-transistor (FET) based potassium sensor using iron oxide nanoparticles (Fe2O3 NPs) modified directly grown zinc oxide nanorods (ZnO NRs). The Fe2O3 NPs modification of ZnO NRs provided stability to nanorods surface and improved surface area for valinomycin immobilization. As-fabricated potassium sensor (valinomycin-Fe2O3 NPs-ZnO NRs/SiO2/Si) provided enhanced current response
СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
We report planar liquid crystal-gated-organic field-effect transistors (LC-g-OFETs) with a simple in-plane drain-source-gate electrode structure, which can be cost-effectively prepared by typical photolithography/etching processes. The LC-g-OFET devices were fabricated by forming the LC layer (4-cyano-4'-pentylbiphenyl, 5CB) on top of the channel layer (poly(3-hexylthiophene), P3HT) that was spin-coated on the patterned indium-tin oxide (ITO)-coated glass substrates. The LC-g-OFET devices showed p-type transistor characteristics, while a current saturation behavior in the output curves was ach
СтатьяПоддержка исследования: вне правительства СШАПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Logic inverters consisting of n-type FETs and resistors with SnO(2) nanowire channels were fabricated on films of the elastomer polydimethylsiloxane, prestrained and flattened into planar sheets from initial, preformed hemispherical shapes. Upon release, thin and narrow interconnects between individual devices in the arrays absorb induced strain by buckling into nonplanar sinusoidal shapes, to allow full recovery of the surfaces to their original convex geometries. The same physics allows deformation of convex shapes into concave ones, as well as more complex surfaces of coexisting convex and
СтатьяПоддержка исследования: вне правительства СШАПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
The objective of this work is the study and characterization of anodized indium tin oxide (anodized-ITO) as a sodium ion selective electrode and differential structures including a sodium-selective-membrane/anodized-ITO as sensor 1, an anodized-ITO membrane as the contrast sensor 2, and an ITO as the reference electrode. Anodized-ITO was fabricated by anodic oxidation at room temperature, a low cost and simple manufacture process that makes it easy to control the variation in film resistance. The anodized-ITO based on EGFET structure has good linear pH sensitivity, approximately 54.44 mV/pH fr
СтатьяПоддержка исследования: вне правительства СШАПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Two-dimensional materials hold great promise for postsilicon electronics, but their conventional high-temperature synthesis hinders integration with back-end-of-line processes. Here, we present an enclosed chemical vapor transport (ECVT) process for growing centimeter-scale uniform and continuous monolayer MoS2 and WS2 films at temperatures as low as 280 and 350 °C, respectively. The confined geometry of the ECVT system enhances the partial pressure of active molecular species, thereby reducing the energy barriers for both atomic nucleation and lateral migration of 2D materials on the substrat
СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
The advent of two-dimensional (2D) materials and their capacity to form van der Waals (vdW) heterostructures has revolutionized numerous scientific fields, including electronics, optoelectronics, and energy storage. This paper presents a comprehensive investigation of bandgap engineering and band structure prediction in 2D vdW heterostructures utilizing density functional theory (DFT). By combining various 2D materials, such as graphene, hexagonal boron nitride (h-BN), transition metal dichalcogenides, and blue phosphorus, these heterostructures exhibit tailored properties that surpass those o
СтатьяОбзорПолный текст не найденПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
A series of new benzimidazole derivatives were synthesized by the solid-state condensation and direct sublimation (SSC-DS) method and their physical properties were investigated. The reaction yields and product stability were significantly affected by the identity of the diamine and anhydride substituents. On the other hand, the substituents of the benzimidazole ring allowed fine tuning of the emission maxima, fluorescence quantum yields, and redox potentials. The HOMO-LUMO levels were estimated by cyclic voltammetry in film on indium tin oxide (ITO) and compared with values obtained by other
СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Organic semiconductors offer a long-spin coherence time and diffusion length due to the weak spin-orbit and hyperfine interactions in these materials. However, in commonly used lateral field-effect transistor structures, it is challenging to define device dimensions comparable to the spin diffusion length. On the other hand, vertical structures, offering smaller device dimensions, are facing issues due to the low carrier mobilities in the vertical dimension. Here, we investigate spin relaxation in rubrene thin films with a triclinic phase, which are doped with C60F48 by coevaporation. The dopi
СтатьяПолный текст не найденПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Hemolytic uremic syndrome (HUS) is a life-threatening condition characterized by acute renal failure that is often caused by Shiga toxins (Stxs) produced by enterohemorrhagic Escherichia coli (EHEC). Early and precise diagnosis is critical for effective HUS treatment and the prevention of further severe complications. In this study, we present an ultrasensitive graphene-based field-effect transistor (FET)-based biosensor designed to detect trace levels of Stxs, aiming to improve HUS diagnosis. The sensor demonstrated exceptional sensitivity, with detection limits reaching the femtogram level,
СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
The extensive use of imidacloprid for pest control has raised concerns about its environmental persistence and health risks. This study presents an ion-sensitive field-effect transistor (ISFET)-based sensor featuring a Ti3C2Fx sensitive layer and CuO nanorod-like sensing layer for detecting imidacloprid. Structural and functional validation confirmed accurate nanostructure synthesis and sensor operation. The sensor exhibited a low detection limit (2.706 nM), quantification limit (8.020 nM), and high sensitivity (6.0423 μA/nM in 0-40 nM and 1.904 μA/nM in 40-150 nM) in 0.1 M PBS (pH 7.4). Tests
СтатьяОценочное исследованиеПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Antibiotics like Ciprofloxacin (Cfx), tetracycline (Tet) and Tobramycin (Tob) are commonly used against a broad-spectrum of bacterial infection. Recent surge in their uptake through the presence of their residues in environmental water has been linked to increased antibiotic resistance. Conventional methods for antibiotic monitoring by gold standards like LC-MS though sensitive and reliable, are expensive, requires dedicated equipment and complex sample processing steps. In this context, nanoscale field-effect transistors (FETs) present significant advantages of rapid measurement and ultra-hig
СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
A back-gate-field-effect-transistor (BG-FET) has been developed to selectively detect ammonia and urea. The BG-FET was prepared on a p-type Si substrate with an n-type channel of CdS-TiO2 nanocomposite and poly-methyl methacrylate film as dielectric layer. The reusability of the sensor was ensured by putting it as a cover to a chamber where samples were detected. The BG-FET showed an increase in drain current with the increase in ammonia release from chamber because higher numbers of charge carriers were created when ammonia adsorped on CdS-TiO2 nanostructures. Control experiments suggested th
СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
We have designed and synthesized the novel p-type polymer containing thienothiophene, thiophene and fluorene with OTFT characteristics. The polymer was synthesized by the palladium catalyzed Suzuki coupling reaction with thienothiophene derivatives, thiophene derivatives and fluorene derivatives. The obtained PTT2BTF can dissolve in common organic solvents such as toluene, THF, chloroform, chlorobenzene and dichlorobenzene. PTT2BTF has a number average molecular weight (Mn) of 25,000 with a poly dispersity index (PDI) of 1.66. PTT2BTF showed good thermal stability with high Td of 407 °C. The O
СтатьяПоддержка исследования: вне правительства СШАПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Butyryl cholinesterase of different origin along with variations of the time of enzyme immobilization on the potentiometric transducer surface is offered to control the ion sensitive field effect transistor (ISFET)-based biosensor sensitivity. Because butyryl cholinesterase has been already used to develop the sensors for heavy metals, organophosphorus/carbamate pesticides, and steroidal glycoalkaloids analysis, the present study has been focused on the investigation and adjustment of the ISFET-based biosensor specificity exclusively to the glycoalkaloids. Utilization of ethylendiaminetetracet
Сравнительное исследованиеСтатьяПоддержка исследования: вне правительства СШАПолный текст не найденПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
A comprehensive analytical framework for computing the potential distribution in graphene-based field-effect transistors (GFETs) is presented. The work introduces a pioneering set of self-consistent and explicit closed-form expressions that enable an accurate description of the internal potential profiles along the graphene channel. The proposed models are experimentally validated using a custom-fabricated test platform based on global back-gated GFETs incorporating two in-channel terminals, which allow direct measurement of the local potential drop at different channel positions and provide u
СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
The growing demand for energy-efficient and -adaptive computing drives research into neuromorphic architectures. Van der Waals (vdW) ferroelectric field-effect transistors offer nonvolatile polarization control and a highly tunable semiconductor channel, enabling multilevel states and making them promising for brain-inspired electronics. Here, we present a reconfigurable bimodal ferroelectric synapse based on the CuInP2S6/hBN/WSe2 vdW heterostructure, extending beyond conventional single-modal synaptic devices by introducing added functionality. Transport measurements and piezoresponse force m
СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Zinc nitride (Zn3N2) comprises earth-abundant elements, possesses a small direct bandgap, and is characterized by high electron mobility. While these characteristics make the material a promising compound semiconductor for various optoelectronic applications, including photovoltaics and thin-film transistors, it commonly exhibits unintentional degenerate n-type conductivity. This degenerate character has significantly impeded the development of Zn3N2 for technological applications and is commonly assumed to arise from incorporation of oxygen impurities. However, consistent understanding and co
СтатьяПолный текст не найденПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
While the printed circuit board (PCB) has been widely considered as the building block of integrated electronics, the world is switching to pursue new ways of merging integrated electronic circuits with textiles to create flexible and wearable devices. Herein, as an alternative for PCB, we described a non-printed integrated-circuit textile (NIT) for biomedical and theranostic application via a weaving method. All the devices are built as fibers or interlaced nodes and woven into a deformable textile integrated circuit. Built on an electrochemical gating principle, the fiber-woven-type transist
СтатьяПоддержка исследования: вне правительства СШАПоиск полного текста в очередиПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Organic electrochemical transistor (OECT) performance is determined by the channel material's ability to transport both ions and electrons. However, many high-mobility organic semiconductors are hydrophobic and ion-impermeable, which limits their electrochemical activity. Consequently, achieving controllable redox modulation requires complex molecular design and multistep synthesis, thereby impeding their use in diverse applications. Herein, we establish a facile semiconductor blending strategy that enables hierarchical redox control in OECTs, advancing them toward high-performance parallel re
СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Ferroelectric charged domain walls (CDWs) offer emergent electronic states that can serve as functional elements in high-density nonvolatile memory and neuromorphic computing. Yet, poor conductivity, structural instability, and lack of deterministic control limit their practical use. Moreover, the CDWs are typically out-of-plane and buried interfaces, which prohibits electrical access and prevents gate control of their carrier density. This work demonstrates the fabrication of artificial in-plane CDWs by stacking oppositely polarized flakes of van der Waals (vdW) ferroelectric α $\alpha$ -In2
СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
MedElevator
Войти в исследования