Уникальные публикации PubMed, Europe PMC и Crossref, сохранённые в библиотеке. Одна статья учитывается один раз, даже если получена из нескольких источников. Личные исследования и документы команд не публикуются.
Идёт проверка счётчикаДоступно в поиске—
Публикации, уже подготовленные для быстрого поиска. Остальная библиотека подключается в фоне.
Переведено на русский—
Готовые переводы среди доступных в поиске публикаций. Автоматический медицинский перевод и проверка специалистом учитываются отдельно.
Полные тексты—
Найденные полные тексты среди доступных в поиске публикаций. Доступность определяется первоисточником и условиями использования.
Оригиналов на русском—
Русскоязычные оригиналы доступны без ожидания перевода. Ниже — языки остальных оригиналов; для них готовится медицинский перевод на русский.
Пополняем библиотеку по диагнозам—Проверяем состояние обновлений
Для каждого диагноза из справочника МКБ-10 ищем связанные публикации в научных базах и добавляем их в библиотеку. Числа ниже — диагнозы, а не статьи.
Если сбор прервался, тема требует повторной попытки. Уже сохранённые статьи остаются в библиотеке.
Нажмите на показатель для подробностей. Показатели поиска обновляются автоматически; размер всей библиотеки сверяется отдельно. Время последней проверки указано явно.
Результаты поиска
720 публикаций
Поиск: 323 мс
Публикации на разных языках · PubMed, Europe PMC и данные издателей через Crossref · 20 с найденным полным текстом
A high-mobility organic semiconductor employed as the active material in a field-effect transistor does not guarantee per se that expectations of high performance are fulfilled. This is even truer if a downscaled, short channel is adopted. Only if contacts are able to provide the device with as much charge as it needs, with a negligible voltage drop across them, then high expectations can turn into high performances. It is a fact that this is not always the case in the field of organic electronics. In this review, we aim to offer a comprehensive overview on the subject of current injection in
СтатьяПоддержка исследования: вне правительства СШАОбзорПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Artificial intelligence (AI) algorithms are currently executed using silicon-based hardware, resulting in excessively high energy demand for data centers. Edge computing AI for healthcare, robotics, and autonomous vehicles presents even stricter power and latency constraints, which are unmet by incumbent computing architectures. With vastly superior energy efficiency, biological neuronal networks provide hints towards alternative computational approaches including memory-logic colocation, asynchronous parallelism, and spike-triggered computation. Here, we draw inspiration from the cerebellum t
СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
The olfactory system is one of the six basic sensory nervous systems. Developing artificial olfactory systems is challenging due to the complexity of chemical information decoding and memory. Conventional chemical sensors can convert chemical signals into electric signals to decode gas information but they lack memory functions. Additional storage and processing units would significantly increase the complexity and power consumption of the devices, especially for portable and wearable devices. Here, an olfactory-inspired in-sensor organic electrochemical transistor (OI-OECT) is proposed, with
СтатьяПоддержка исследования: вне правительства СШАПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Liquid-gated Graphene Field-Effect Transistors (GFET) are ultrasensitive bio-detection platforms carrying out the graphene's exceptional intrinsic functionalities. Buffer and dilution factor are prevalent strategies towards the optimum performance of the GFETs. However, beyond the Debye length (λD), the role of the graphene-electrolytes' ionic species interactions on the DNA behavior at the nanoscale interface is complicated. We studied the characteristics of the GFETs under different ionic strength, pH, and electrolyte type, e.g., phosphate buffer (PB), and phosphate buffer saline (PBS), in a
СтатьяПолный текст не найденПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Logic-in-memory (LIM) has emerged as an energy-efficient computing technology, as it integrates logic and memory operations in a single device architecture. Herein, a concept of ternary LIM is established. First, a p-type 2,7-dioctyl[1]benzothieno[3,2-b][1]benzothiophene (C8-BTBT) transistor is combined with an n-type PhC2H4-benzo[de]isoquinolino[1,8-gh]quinolone diimide (PhC2-BQQDI) transistor to obtain a binary memory inverter, in which a zinc phthalocyanine-cored polystyrene (ZnPc-PS4) layer serves as a floating gate. The contrasting photoresponse of the transistors toward visible and ultra
СтатьяПоддержка исследования: вне правительства СШАПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
The relentless scaling of transistors has intensified power dissipation challenges in modern integrated circuits, necessitating devices that operate below the fundamental Boltzmann limit of 60 mV/dec subthreshold swing (SS). Here, we propose a cold-source field-effect transistor (CS-FET) based on a van der Waals (vdW) heterostructure, comprising theoretically proposed monolayer boron antimonide (BSb) as the source electrode and indium selenide (InSe) as the channel. Through first-principles density functional theory (DFT) and quantum transport simulations, we demonstrate that the BSb/InSe FET
СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Human-machine intelligent interaction (HMII) technology, which is an advanced iteration of human-machine interaction technology, has garnered widespread attention owing to its significant achievements in healthcare and virtual reality research. Nonetheless, these fields often depend on elaborate multi-sensor integrations and face challenges in achieving precise control over robotic manipulation. Herein, a novel transistor-like iontronics pressure sensor based on an MXene/Bi 2D heterojunction is proposed. This transistor-like, flexible, all-solid-state, self-powered iontronics device exhibited
СтатьяПоддержка исследования: вне правительства СШАПолный текст не найденПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Several techniques for the direct printing of functional materials have been developed to fabricate micro- and nanoscale structures and devices. We report a new direct patterning method, liquid-bridge-mediated nanotransfer moulding, for the formation of two- or three-dimensional structures with feature sizes as small as tens of nanometres over large areas up to 4 inches across. Liquid-bridge-mediated nanotransfer moulding is based on the direct transfer of various materials from a mould to a substrate through a liquid bridge between them. We demonstrate its usefulness by fabricating nanowire f
СтатьяПоддержка исследования: вне правительства СШАПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
As transistor dimensions are scaled down to the sub-10 nm regime, two-dimensional (2D) layered materials have attracted extensive attention for suppressing short-channel effects. Nevertheless, the development of p-type 2D transistors lags far behind that of n-type devices, hindering 2D CMOS technology advancement. Herein, the electronic properties of 2D WO2 and the quantum transport characteristics of dual-gate WO2 MOSFETs are systematically investigated using density functional theory combined with the nonequilibrium Green's function. At 10 nm channel length, the n-type and p-type devices exh
СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Electronic and photonic technologies have transformed our lives-from computing and mobile devices, to information technology and the internet. Our future demands in these fields require innovation in each technology separately, but also depend on our ability to harness their complementary physics through integrated solutions1,2. This goal is hindered by the fact that most silicon nanotechnologies-which enable our processors, computer memory, communications chips and image sensors-rely on bulk silicon substrates, a cost-effective solution with an abundant supply chain, but with substantial limi
СтатьяПоддержка исследования: вне правительства СШАПоиск полного текста в очередиПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
The optimization of the electronic properties of molecular materials based on optically or electrically active organic building blocks requires a fine-tuning of their self-assembly properties at surfaces. Such a fine-tuning can be obtained on a scale up to 10 nm by mastering principles of supramolecular chemistry, i.e., by using suitably designed molecules interacting via pre-programmed noncovalent forces. The control and fine-tuning on a greater length scale is more difficult and challenging. This Research News highlights recent results we obtained on a new class of macromolecules that posses
НовостьПоддержка исследования: вне правительства СШАПолный текст не найденПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Two-dimensional semiconductors offer a pathway toward ultrascaled electronics, yet achieving strong electrostatic gate control without sacrificing low-resistance contacts remains a fundamental challenge. Here, we report a selective defect-engineering strategy that addresses this gate-contact trade-off in Bi2O2Se transistors. Low-temperature nitrogen incorporation passivates selenium vacancies through robust N-Bi bonding, suppressing intrinsic self-doping while preserving the intrinsic band dispersion without introducing midgap states. Density functional theory and scanning tunnelling spectrosc
СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Low-power consumption has been always a crucial design constraint for an efficient intellectual property based three-dimensional multi-core system that cannot be ignored easily. As the complexity increases due to the number of cores/stacks/ layers in 3D digital systems, the challenges to handle power can be more difficult at a high abstraction level. Therefore, the low-power approach gives designers an opportunity to estimate and optimize the power consumption in the early stages of design phases. The accurate power estimation through the macro-modeling approach at high-level reduces the risk
СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
This work employs novel SnO(2) gel-like precursors in conjunction with sol-gel deposited ZrO(2) gate dielectrics to realize high-performance transparent transistors. Representative devices show excellent performance and transparency, and deliver mobility of 103 cm(2) V(-1) s(-1) in saturation at operation voltages as low as 2 V, a sub-threshold swing of only 0.3 V/decade, and /(on) //(off) of 10(4) ~10(5) .
СтатьяПоддержка исследования: вне правительства СШАПолный текст не найденПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
The development of van der Waals (vdW) dielectric materials with high dielectric constants and wide bandgaps is crucial for advancing the practical application of two-dimensional (2D) transistors. However, current dielectrics often exhibit advantages in only one of these two aspects, which limits the further improvement of transistor performance. This study demonstrates an ideal dielectric NH4Be2BO3F2 (ABBF) for 2D electronic devices, which exhibit a high dielectric constant up to 39 and a wide bandgap of 8.1 eV. Dielectric performance tests show that it has an ultralow leakage current density
СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Gallium nitride semiconductors are essential for advanced electronics, but realizing their potential requires robust normally-off devices. The P-GaN gate high-electron-mobility transistor is the dominant architecture, yet its threshold voltage is restricted to less than 2 volts by the low activation efficiency of magnesium acceptors. Here, we demonstrate atomically confined insertion to overcome this bottleneck. This technique creates self-terminating, two-dimensional magnesium layers within a complex heterostructure, inducing localized strain and polarity inversion. The resulting atomic-scale
СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
We introduce the Quantum Transistor (QT), a standardized variational quantum building block inspired by the operating-point and gain semantics of classical transistors. The QT is specified as a two-qubit template (gate g, channel t), but the experiments reported here instantiate the non-entangling special case in which g is deterministically prepared in [Formula: see text] and is not reused; consequently, the controlled-[Formula: see text] bias reduces to an unconditional single-qubit [Formula: see text] on the channel qubit t. In this instantiation the QT implements an analytically tractable,
СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Oral diseases represent a major global health burden, underscoring the need for sensitive, accessible, and noninvasive diagnostic technologies. Electrochemical biosensing offers a powerful route for point-of-care oral health monitoring by translating biomolecular interactions in saliva, gingival crevicular fluid, and exhaled breath condensate into quantifiable electrical signals. This review systematically discusses electrochemical biosensing strategies for oral disease diagnosis, beginning with the structure and operating mechanisms of electrochemical sensors and then summarizing their applic
СтатьяОбзорПолный текст не найденПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Inspired by the biological neuromorphic system with efficient information perception and processing capabilities, transistor-based synaptic devices are expected to address the von Neumann limitation and promote the evolution of a neuromorphic computing paradigm. However, achieving a wide spectrum light response and low power consumption using a simple process remains challenging for artificial visual perception electronics. Here, an optoelectronic synaptic transistor (OST) capable of both a wide light wavelength response and multilevel optical storage is verified to emulate the functions of th
СтатьяПоиск полного текста в очередиПеревод пока не подготовлен
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.
Clinical drug screening is a critical component in disease treatment and in elucidating the impact of drug monitoring on cellular-level biochemical reactions. Field effect transistor (FET) based biosensors represent a novel technology in biomedical research, playing an essential role in clinical drug screening due to their high specificity, sensitivity, label-free detection, real-time monitoring, cost-effectiveness, and integration capabilities. This review provides a detailed description of the structural mechanisms of various types of FET biosensors. Furthermore, it introduces the classifica
СтатьяОбзорПолный текст не найденПеревод в очереди
Обработка статьи · этапы, ошибки и управление
Загрузка состояния…
Ошибки и ограничения
История · было → стало
Состояние обновляется каждые 5 секунд, пока блок открыт. Процент показывается только там, где известен объём работы. Пауза останавливает продолжение этапа; текущий запрос к источнику может завершиться.